摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-11页 |
第二章 文献综述 | 第11-32页 |
·硅化钛在电子器件中的应用及制备方法 | 第11-20页 |
·过渡金属硅化物的在电子器件中应用背景 | 第11-14页 |
·过渡金属硅化物薄膜的制备方法 | 第14-20页 |
·两种典型硅钛合物的比较 | 第20-21页 |
·低辐射镀膜玻璃的发展背景及研究现状 | 第21-28页 |
·低辐射镀膜玻璃的发展背景 | 第21-23页 |
·低辐射镀膜玻璃的膜系结构特征 | 第23-24页 |
·低辐射镀膜玻璃的制备方法 | 第24-25页 |
·低辐射镀膜玻璃的节能原理 | 第25-28页 |
·本文研究目的与意义 | 第28-32页 |
第三章 实验与测试 | 第32-47页 |
·样品制备 | 第32-38页 |
·实验装置 | 第32-33页 |
·反应体系的选择 | 第33页 |
·样品制备过程 | 第33-38页 |
·实验方案: | 第38页 |
·分析和测试方法 | 第38-47页 |
·X射线衍射(XRD) | 第40-41页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第41-42页 |
·场发射扫描电镜(FESEM) | 第42页 |
·薄膜电阻(率)的测定 | 第42-43页 |
·紫外-可见光透射率测试 | 第43-44页 |
·红外反射率测试 | 第44页 |
·透明玻璃的常用光学参数定义 | 第44页 |
·透明玻璃的抗腐蚀性能测试方法 | 第44-45页 |
·腐蚀倾向判别 | 第45-47页 |
第四章 APCVD法玻璃基板上沉积硅化钛膜 | 第47-59页 |
·硅化钛薄膜制备 | 第47-51页 |
·硅钛比(SI/TI)对生成物相的影响 | 第51-56页 |
·沉积温度对生成物相的影响 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
第五章 APCVD玻璃基板上沉积的TI5SI3膜的光、电性能及耐腐蚀性能研究 | 第59-73页 |
·TI_5SI_3薄膜的电阻率与沉积温度的关系 | 第59-60页 |
·TI5SI3薄膜的反射率与沉积温度的关系 | 第60-61页 |
·TI_5SI_3薄膜耐酸、碱腐蚀性能与沉积温度的关系 | 第61-67页 |
·腐蚀蚀速率测量 | 第61-62页 |
·耐腐蚀性能与沉积温度的关系 | 第62-67页 |
·透明膜的性能 | 第67-70页 |
·本章小结 | 第70-73页 |
第六章 APCVD玻璃基板上沉积的TISI_2膜的光、电性能及耐腐蚀性能研究 | 第73-87页 |
·TISI_2薄膜的电阻率与沉积温度的关系 | 第73-74页 |
·TISI_2薄膜的反射率与沉积温度的关系 | 第74-76页 |
·TISI_2薄膜的耐腐蚀性能与沉积温度的关系 | 第76-83页 |
·在酸性溶液中的腐蚀行为 | 第77-79页 |
·在碱性溶液中的腐蚀行为 | 第79-80页 |
·在酸、碱性溶液中的腐蚀比较 | 第80-83页 |
·透明膜TISI_2薄膜的光学性能 | 第83-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第七章 结论 | 第87-89页 |
硕士期间发表的论文 | 第89-90页 |
致谢 | 第90页 |