| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-30页 |
| ·太阳能概况 | 第11-12页 |
| ·光伏电池的机制和原理 | 第12-15页 |
| ·薄膜太阳电池研究状况 | 第15-17页 |
| ·柔性薄膜太阳电池的兴起 | 第17-23页 |
| ·柔性薄膜硅电池 | 第18-21页 |
| ·CuInSe_2(CIS),CuInGaSe_2(CIGS)柔性薄膜电池 | 第21-22页 |
| ·碲化镉(CdTe)柔性薄膜电池 | 第22-23页 |
| ·染料敏化柔性电池 | 第23页 |
| ·柔性多晶硅薄膜的研究 | 第23-26页 |
| ·多晶硅薄膜的特点 | 第24-25页 |
| ·柔性衬底材料的选择 | 第25-26页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第26-30页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) | 第27-28页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HWCVD) | 第28页 |
| ·非晶硅晶化两步生长法 | 第28-30页 |
| 第三章 实验部分和测试设备 | 第30-40页 |
| ·实验设计 | 第30-31页 |
| ·热丝化学气相沉积常规方法制备多晶硅薄膜 | 第30-31页 |
| ·利用间隙供气方法和间歇供气-常规两步法制备多晶硅薄膜 | 第31页 |
| ·金属诱导两步生长法制备多晶硅薄膜 | 第31页 |
| ·实验设备 | 第31-36页 |
| ·热丝化学气相沉积系统(HWCVD) | 第31-33页 |
| ·等离子体化学气相沉积系统(PECVD) | 第33-34页 |
| ·电子束蒸发设备 | 第34-36页 |
| ·快速热处理设备 | 第36页 |
| ·测试设备 | 第36-39页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第36-37页 |
| ·X射线衍射仪 | 第37页 |
| ·激光喇曼光谱 | 第37-38页 |
| ·紫外可见光吸收谱仪 | 第38-39页 |
| ·实验材料 | 第39-40页 |
| 第四章 利用热丝化学气相法常规方法制备多晶硅薄膜 | 第40-59页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-57页 |
| ·不同气体流量比的影响 | 第41-43页 |
| ·不同衬底温度的影响 | 第43-45页 |
| ·不同气体压强的影响 | 第45-48页 |
| ·氢气前期处理的影响 | 第48-49页 |
| ·氢气后续处理的影响 | 第49-52页 |
| ·薄膜不同生长时间的观测 | 第52-55页 |
| ·在柔性衬底材料上的实验 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第57-59页 |
| 第五章 在柔性PI衬底上制备多晶硅薄膜 | 第59-74页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·实验 | 第61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-72页 |
| ·尝试实验 | 第61-62页 |
| ·不同间歇周期时间比例的影响 | 第62-64页 |
| ·间歇供气-常规两步法的探索 | 第64-68页 |
| ·关于间隙供气方法的机制解释 | 第68-71页 |
| ·光学性能测试 | 第71-72页 |
| ·结论 | 第72-74页 |
| 第六章 等离子化学气相沉积法和金属透导两步生长法制备多晶硅薄膜 | 第74-80页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·实验 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-78页 |
| ·利用PECVD制备硅薄膜 | 第75-76页 |
| ·利用金属铝诱导制备多晶硅薄膜 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第78-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
