| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·太阳级硅材料 | 第8-10页 |
| ·硅材料精炼技术及新工艺 | 第10-15页 |
| ·本文研究的主要内容和意义 | 第15-16页 |
| 2 冷等离子体刻蚀纯化硅机理 | 第16-33页 |
| ·等离子体基本性质 | 第16-17页 |
| ·直流辉光放电等离子体的产生 | 第17-19页 |
| ·冷等离子体的纯化效应 | 第19-24页 |
| ·辉光放电等离子体鞘层 | 第24-33页 |
| 3 硅粉的纯化模型及分析 | 第33-57页 |
| ·硅粉在等离子体中的沉降 | 第33-35页 |
| ·受力及计算分析 | 第35-44页 |
| ·硅粉沉降过程中的物理刻蚀 | 第44-46页 |
| ·鞘层重粒子输运及刻蚀速率 | 第46-57页 |
| 4 实验及结果 | 第57-65页 |
| ·实验装置 | 第57-58页 |
| ·刻蚀纯化实验 | 第58-61页 |
| ·实验结果 | 第61-65页 |
| 5 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |