| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GaN的相关知识 | 第10-12页 |
| ·GaN基材料的发展 | 第10-11页 |
| ·GaN基材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·衬底材料 | 第12-14页 |
| ·LED可靠性的研究 | 第14-19页 |
| ·LED寿命测试方法 | 第14-17页 |
| ·LED可靠性研究的进展及现状 | 第17-19页 |
| ·本论文研究的内容及行文安排 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 Si衬底GaN基LED芯片可靠性研究 | 第23-35页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·LED芯片的结构 | 第23-25页 |
| ·同质结、异质结和量子阱 | 第23-25页 |
| ·同侧结构和垂直结构 | 第25页 |
| ·实验 | 第25-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-32页 |
| ·发光强度随驱动电流的变化 | 第26-27页 |
| ·正向电压随驱动电流的变化 | 第27页 |
| ·老化实验中发光强度随老化时间的变化 | 第27-30页 |
| ·老化实验中正向电压随老化时间的变化 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能影响的研究 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·LED芯片工艺流程(参照本实验室) | 第36-37页 |
| ·MOCVD系统 | 第37-39页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第37-38页 |
| ·本实验室MOCVD系统简介 | 第38-39页 |
| ·实验 | 第39页 |
| ·实验结果与分析 | 第39-42页 |
| ·LED芯片发光强度和正向电压随驱动电流的变化 | 第39-40页 |
| ·LED在恒流1A下老化实验 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第四章 芯片尺寸和电极形状对Si衬底GaN基LED芯片性能影响的研究 | 第45-57页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·LED的Ⅰ-Ⅴ特性曲线 | 第45-46页 |
| ·LED的相关参数 | 第46-48页 |
| ·LED发光强度的测量 | 第48页 |
| ·电极形状对LED性能的影响 | 第48-51页 |
| ·实验 | 第48页 |
| ·实验结果与分析 | 第48-51页 |
| ·芯片尺寸对LED性能的影响 | 第51-54页 |
| ·实验 | 第51页 |
| ·实验结果与分析 | 第51-54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第五章 Si衬底GaN基LED可靠性研究 | 第57-73页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·LED封装相关知识 | 第57-59页 |
| ·LED封装的作用 | 第57页 |
| ·LED封装工艺 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第59-60页 |
| ·实验结果与讨论 | 第60-71页 |
| ·在不同电流下老化波长随老化时间的变化 | 第60-61页 |
| ·在不同电流下老化反向电压随老化时间的变化 | 第61-62页 |
| ·在不同电流下老化开启电压随老化时间的变化 | 第62-65页 |
| ·在不同电流下老化正向电压随老化时间的变化 | 第65-67页 |
| ·在不同电流下老化光输出随老化时间的变化 | 第67-71页 |
| ·小结 | 第71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附录 | 第75页 |