摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-38页 |
·引言 | 第11页 |
·锂离子电池发展简史及性能特点 | 第11-13页 |
·锂离子电池的工作原理 | 第13-14页 |
·锂离子电池体系结构 | 第14-19页 |
·正极材料 | 第14-15页 |
·电解质 | 第15-16页 |
·负极材料 | 第16-19页 |
·锂离子电池非碳基负极材料研究进展 | 第19-24页 |
·锡基氧化物和锡化物 | 第19-21页 |
·过渡金属氧化物 | 第21页 |
·新型合金体系 | 第21-24页 |
·硅基合金体系 | 第22-23页 |
·锡基合金体系 | 第23-24页 |
·铝基合金体系 | 第24页 |
·解决合金负极材料容量衰减的途径 | 第24-27页 |
·材料纳米化 | 第25-26页 |
·材料复合化 | 第26页 |
·材料薄膜化 | 第26-27页 |
·本论文的研究背景及拟研究内容 | 第27-29页 |
参考文献 | 第29-38页 |
第二章 实验方法 | 第38-42页 |
·实验药品及仪器 | 第38页 |
·实验药品 | 第38页 |
·实验仪器 | 第38页 |
·材料的合成与制备 | 第38-39页 |
·材料的组织结构分析 | 第39-40页 |
·晶体结构分析 | 第39页 |
·表面形貌分析 | 第39-40页 |
·微观结构分析 | 第40页 |
·材料的电化学性能测试 | 第40-42页 |
·电极的制备及模拟电池的装配 | 第40页 |
·循环伏安测试 | 第40页 |
·交流阻抗测试 | 第40-41页 |
·恒电流充放电测试 | 第41-42页 |
第三章 纳米多晶硅粒子容量衰减机理研究 | 第42-59页 |
·引言 | 第42-43页 |
·纳米多晶硅粒子的结构和形貌 | 第43-45页 |
·纳米多晶硅粒子的电化学插脱锂过程 | 第45-52页 |
·恒电流充放电性能研究 | 第46-49页 |
·循环伏安研究 | 第49-50页 |
·纳米多晶硅粒子在插锂过程中的阻抗分析 | 第50-52页 |
·纳米多晶硅粒子循环前后结构的变化 | 第52-54页 |
·表观形貌研究 | 第52-53页 |
·微观结构研究 | 第53-54页 |
·纳米多晶硅粒子结构变化和插脱锂性能的关系 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第四章 核壳结构纳米复合材料及其性能研究 | 第59-83页 |
·引言 | 第59-60页 |
·核壳结构纳米Si基复合材料的制备 | 第60-62页 |
·乳液聚合法制备核壳结构Si/C纳米复合材料 | 第60-61页 |
·溶胶凝胶法制备核壳结构Si/SiO_x纳米复合材料 | 第61-62页 |
·核壳结构Si/C纳米复合材料的结构和形貌 | 第62-64页 |
·核壳结构Si/C纳米复合材料的电化学性能 | 第64-71页 |
·循环伏安研究 | 第64-68页 |
·交流阻抗研究 | 第68-69页 |
·恒电流充放电性能研究 | 第69-71页 |
·核壳结构Si/SiO_x纳米复合材料的结构和形貌 | 第71-74页 |
·核壳结构Si/SiO_x纳米复合材料的电化学性能 | 第74-79页 |
·循环伏安研究 | 第74-76页 |
·交流阻抗研究 | 第76-77页 |
·恒电流充放电性能研究 | 第77-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-83页 |
第五章 天然改性石墨/纳米硅复合材料及其性能研究 | 第83-98页 |
·引言 | 第83页 |
·天然改性石墨/纳米硅复合材料的制备 | 第83-84页 |
·天然改性石墨/纳米硅复合材料的结构和形貌 | 第84-85页 |
·天然改性石墨/纳米硅复合材料的电化学性能 | 第85-93页 |
·循环伏安研究 | 第85-88页 |
·交流阻抗研究 | 第88-89页 |
·恒电流充放电性能研究 | 第89-93页 |
·天然改性石墨/纳米硅复合材料的嵌脱锂机理分析 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-98页 |
第六章 真空沉积硅薄膜的制备及其性能研究 | 第98-117页 |
·引言 | 第98-99页 |
·真空沉积硅薄膜的制备及表征 | 第99-100页 |
·真空沉积硅薄膜的形貌和结构 | 第100-106页 |
·Ni基真空沉积硅薄膜的形貌和结构 | 第100-103页 |
·Cu基真空沉积硅薄膜的形貌和结构 | 第103-106页 |
·真空沉积硅薄膜的电化学性能 | 第106-111页 |
·循环伏安研究 | 第106-107页 |
·交流阻抗研究 | 第107-108页 |
·恒电流充放电性能研究 | 第108-111页 |
·真空沉积硅薄膜的插脱锂机理分析 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-117页 |
第七章 结论 | 第117-120页 |
攻读博士学位期间发表论文及专利 | 第120-123页 |
致谢 | 第123-124页 |