| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT（英文摘要） | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·体全息存储技术 | 第8-11页 |
| ·铌酸锂晶体的研究 | 第11-15页 |
| ·铌酸锂晶体简介 | 第11页 |
| ·铌酸锂晶体的掺杂 | 第11-14页 |
| ·掺杂对LiNbO_3 晶体体全息存储性能的影响 | 第14-15页 |
| ·本论文主要的研究内容 | 第15-18页 |
| 第2章 晶体体全息存储性能及测试系统 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·晶体体全息存储主要性能参数 | 第18-23页 |
| ·吸收系数α | 第18-19页 |
| ·衍射效率η | 第19-20页 |
| ·动态范围M/# | 第20-21页 |
| ·灵敏度S | 第21-22页 |
| ·散射噪声R | 第22-23页 |
| ·测试系统及实验方案优化 | 第23-30页 |
| ·概述 | 第23-24页 |
| ·测试系统 | 第24-26页 |
| ·克服光伏效应的现象分析 | 第26-30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 第3章 抗光致散射的双掺铌酸锂晶体的理论研究 | 第32-50页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·抗光致散射的双掺铌酸锂晶体内部缺陷分析 | 第32-35页 |
| ·二中心模型 | 第35-43页 |
| ·抗光致散射的双掺杂晶体二中心模型 | 第35-42页 |
| ·体全息存储性能参量 | 第42-43页 |
| ·体全息存储参数与参量的关系 | 第43-47页 |
| ·Fe 离子掺杂浓度 | 第43-45页 |
| ·M 离子掺杂浓度 | 第45-46页 |
| ·氧化还原状态 | 第46-47页 |
| ·抗光致散射的双掺铌酸锂晶体的优化方法 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第4章 抗光致散射的双掺铌酸锂晶体实验及优化研究 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·LiNbO_3:Fe,In 晶体的实验研究及结果分析 | 第51-55页 |
| ·LiNbO_3:Fe, In 晶体的优化设计 | 第55-57页 |
| ·优化的LiNbO_3:Fe, In 晶体的体全息存储性能 | 第57-59页 |
| ·LiNbO_3:Mn, In 晶体的体全息存储性能 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第5章 大容量体全息存储及相关识别研究 | 第64-76页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·小型化大容量体全息存储及相关识别系统及改进 | 第64-67页 |
| ·大容量体全息存储的时序设计及实验研究 | 第67-74页 |
| ·小结 | 第74-76页 |
| 第6章 结论 | 第76-84页 |
| ·本论文取得的主要研究成果和创新点 | 第76-77页 |
| ·进一步的研究工作 | 第77-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第86页 |
