| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| §1．1 碳化硅材料的基本特性及研究意义 | 第8-9页 |
| §1．2 碳化硅材料和器件的研究进展 | 第9-11页 |
| §1．3 本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 碳化硅PMOS器件特性研究的材料和理论基础 | 第13-25页 |
| §2．1 碳化硅的晶体结构 | 第13-14页 |
| §2．2 碳化硅中浅能级杂质的载流子“冻析”效应 | 第14-16页 |
| §2．2．1 碳化硅中的杂质能级 | 第14页 |
| §2．2．2 碳化硅中施主杂质的不完全离化 | 第14-16页 |
| §2．3 碳化硅PMOS结构电特性的分析 | 第16-22页 |
| §2．3．1 电场作用下SiC中杂质的的离化 | 第17-18页 |
| §2．3．2 碳化硅PMOS表面空间电荷区的数值分析 | 第18-21页 |
| §2．3．3 碳化硅PMOS结构空间电荷区的电势分布 | 第21-22页 |
| §2．3．4 碳化硅PMOS结构表面空间电荷区中的电荷 | 第22页 |
| §2．4 碳化硅的空穴迁移率 | 第22-24页 |
| §2．5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 界面态分布及源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 | 第25-39页 |
| §3．1 界面态分布对6H-SiC PMOS器件特性的影响 | 第25-32页 |
| §3．1．1 碳化硅表面的界面态 | 第25-26页 |
| §3．1．2 界面态分布模型 | 第26-27页 |
| §3．1．3 碳化硅PMOS器件的阈值电压随温度的变化关系 | 第27-29页 |
| §3．1．4 碳化硅PMOS结构的C-V特性曲线 | 第29-30页 |
| §3．1．5 碳化硅PMOS器件的亚阈特性 | 第30-32页 |
| §3．2 源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 | 第32-37页 |
| §3．2．1 源漏串联电阻 | 第32-34页 |
| §3．2．2 碳化硅PMOS器件的转移特性 | 第34-35页 |
| §3．2．3 碳化硅PMOS器件沟道的有效迁移率 | 第35-37页 |
| §3．3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 碳化硅PMOS器件输出特性和击穿特性的模拟 | 第39-51页 |
| §4．1 Medici简介 | 第39-43页 |
| §4．1．1 Medici的功能及工作过程 | 第39-40页 |
| §4．1．2 基本方程 | 第40页 |
| §4．1．3 杂质的不完全离化模型 | 第40-41页 |
| §4．1．4 迁移率模型 | 第41-42页 |
| §4．1．5 数值解法的选择 | 第42-43页 |
| §4．2 碳化硅PMOS器件输出特性的模拟 | 第43-46页 |
| §4．2．1 碳化硅PMOS器件输出特性的理论计算 | 第43-45页 |
| §4．2．2 碳化硅PMOS器件输出特性的Medici模拟 | 第45-46页 |
| §4．3 碳化硅PMOS器件漏击穿特性的模拟 | 第46-50页 |
| §4．3．1 栅压对碳化硅PMOS器件漏击穿特性的影响 | 第46-47页 |
| §4．3．2 接触电阻和表面电荷对SiC PMOS器件漏击穿特性的影响 | 第47-49页 |
| §4．3．3 其它因素对SiC PMOS器件击穿特性的影响 | 第49-50页 |
| §4．4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第58页 |
