PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-37页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第13-17页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·ZnO的物理化学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的生长技术 | 第17-20页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第18页 |
| ·分子束外延 | 第18页 |
| ·溅射 | 第18页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第18-20页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第20-26页 |
| ·I族元素掺杂 | 第20-21页 |
| ·N掺杂 | 第21-22页 |
| ·P掺杂 | 第22-24页 |
| ·As掺杂 | 第24-25页 |
| ·Sb掺杂 | 第25-26页 |
| ·ZnO的n型掺杂与TCO薄膜 | 第26-33页 |
| ·Al掺杂 | 第27-30页 |
| ·Ga掺杂 | 第30-31页 |
| ·其它掺杂 | 第31-32页 |
| ·ZnO的电子输运 | 第32-33页 |
| ·ZnO的能带工程 | 第33-37页 |
| ·ZnMgO合金 | 第33-35页 |
| ·ZnCdO合金 | 第35-37页 |
| 第三章 实验原理、设备、工艺及薄膜性能表征 | 第37-53页 |
| ·脉冲激光沉积概述 | 第37-39页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第39-44页 |
| ·激光与靶材的相互作用 | 第40-42页 |
| ·烧蚀物的传输 | 第42-43页 |
| ·烧蚀粒子在衬底上的沉积 | 第43-44页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第44-47页 |
| ·准分子激光器 | 第44-45页 |
| ·光学系统 | 第45页 |
| ·生长室系统 | 第45-46页 |
| ·抽气系统 | 第46页 |
| ·供气系统 | 第46页 |
| ·控制系统 | 第46-47页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第47-49页 |
| ·靶材烧结 | 第47页 |
| ·衬底清洗 | 第47-48页 |
| ·薄膜制备 | 第48-49页 |
| ·薄膜性能表征 | 第49-53页 |
| 第四章 Nb掺杂ZnO薄膜的制备 | 第53-73页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对NZO薄膜性能的影响 | 第54-64页 |
| ·衬底温度对NZO薄膜结晶性能的影响 | 第54-57页 |
| ·NZO薄膜择优生长的机理分析 | 第57-59页 |
| ·衬底温度对NZO薄膜电学性能的影响 | 第59-60页 |
| ·衬底温度对NZO薄膜光学性能的影响 | 第60-64页 |
| ·生长压强对NZO薄膜性能的影响 | 第64-72页 |
| ·生长压强对NZO薄膜结晶性能的影响 | 第65-67页 |
| ·生长压强对NZO薄膜电学性能的影响 | 第67-69页 |
| ·生长压强对NZO薄膜光学性能的影响 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 Nb掺杂ZnO薄膜的机理分析 | 第73-83页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·Nb含量对NZO薄膜性能的影响 | 第73-77页 |
| ·Nb含量对NZO薄膜电学性能的影响 | 第74-75页 |
| ·Nb含量对NZO薄膜光学性能的影响 | 第75-77页 |
| ·NZO薄膜元素化学态分析 | 第77-80页 |
| ·NZO薄膜光致发光分析 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 硕士期间论文和专利列表 | 第106页 |
