立方氮化硼薄膜中压应力与红外吸收的关系
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-33页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·BN的结构、性质及应用 | 第8-11页 |
| ·cBN薄膜的制备 | 第11-13页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第11-12页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第12页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第12-13页 |
| ·cBN薄膜主要表征手段 | 第13-18页 |
| ·傅立叶转换红外光谱仪(FTIR) | 第13-17页 |
| ·高分辨电子显微镜(HRTEM) | 第17-18页 |
| ·cBN薄膜内微结构 | 第18-21页 |
| ·aBN层 | 第18页 |
| ·tBN层 | 第18-20页 |
| ·cBN层 | 第20-21页 |
| ·目前提出的cBN结核形成的四个机理 | 第21-24页 |
| ·选择溅射模型 | 第21-22页 |
| ·热峰模型 | 第22页 |
| ·再植模型 | 第22-23页 |
| ·应力模型 | 第23-24页 |
| ·研究近况 | 第24-30页 |
| ·厚膜的制备 | 第24-27页 |
| ·异质外延 | 第27-29页 |
| ·小节 | 第29-30页 |
| ·cBN薄膜应用瓶颈 | 第30-32页 |
| ·与衬底的结合力问题 | 第30-31页 |
| ·sp~2杂化中间层 | 第31-32页 |
| ·离子加强沉积的商业化 | 第32页 |
| ·立论依据 | 第32-33页 |
| 第二章 实验方案及实验结果 | 第33-42页 |
| ·实验设备 | 第33页 |
| ·ICP-CVD方法原理 | 第33-34页 |
| ·经时偏压控制技术 | 第34页 |
| ·FT-IR的同步观测 | 第34-36页 |
| ·样品制备 | 第36-37页 |
| ·样品表征 | 第37页 |
| ·实验结果 | 第37-42页 |
| 第三章 压应力对红外吸收峰影响的研究 | 第42-52页 |
| ·前言 | 第42页 |
| ·应力释放前后峰位、峰强变化分析 | 第42-44页 |
| ·应力释放前后IR峰强增大的量子力学分析 | 第44-48页 |
| ·离子植入简正振动模式 | 第44-45页 |
| ·振动的量子化 | 第45-46页 |
| ·红外光与声子振动的关系 | 第46-48页 |
| ·红外吸收几率公式 | 第48页 |
| ·HRTEM图象分析 | 第48-49页 |
| ·sp~2红外吸收峰强与中间层厚度关系 | 第49-50页 |
| ·压应力抑制sp~2红外吸收峰 | 第50-51页 |
| ·压应力在薄膜积聚的位置 | 第51页 |
| ·本章小节 | 第51-52页 |
| 第四章 薄膜剥落过程中的结构变化研究 | 第52-56页 |
| ·前言 | 第52页 |
| ·利用红外吸收峰谱计算薄膜剥落面积 | 第52-53页 |
| ·tBN层剥落行为 | 第53-55页 |
| ·本章小节 | 第55-56页 |
| 第五章 cBN薄膜剥落模型的模拟 | 第56-59页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·薄膜剥落起始位置 | 第56-57页 |
| ·薄膜剥落模型 | 第57-58页 |
| ·本章小节 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
