| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-36页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的结构与性质 | 第12-19页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的晶体结构及基本性质 | 第12-17页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的能带结构与光学性能 | 第17-19页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜的制备方法与研究进展 | 第19-21页 |
| ·ZnO与Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的p型掺杂研究进展 | 第21-30页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第22-23页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第23-24页 |
| ·ZnO的p型掺杂研究进展 | 第24-27页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金薄膜的p型掺杂研究进展 | 第27-29页 |
| ·IA族元素p型掺杂的理论依据 | 第29-30页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的应用 | 第30-34页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO异质结 | 第30-32页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO超晶格 | 第32-33页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO多量子阱 | 第33-34页 |
| ·立题思路及主要研究工作 | 第34-36页 |
| 第三章 Li掺杂的p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第36-57页 |
| ·生长设备、制备工艺及性能表征 | 第36-44页 |
| ·直流反应磁控溅射技术原理与生长系统 | 第36-41页 |
| ·辉光放电原理 | 第36-38页 |
| ·溅射粒子的能量 | 第38-39页 |
| ·直流反应磁控溅射S枪原理 | 第39-40页 |
| ·生长系统 | 第40-41页 |
| ·制备工艺 | 第41-43页 |
| ·靶材的制备 | 第41-42页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第42-43页 |
| ·性能表征 | 第43-44页 |
| ·Li掺杂的p-Zn_(1-x)Mg_xO:退火处理的影响 | 第44-52页 |
| ·薄膜的制备与退火过程 | 第45-47页 |
| ·退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·退火前后薄膜结晶质量的变化 | 第49-51页 |
| ·退火处理对薄膜性能影响的机理 | 第51-52页 |
| ·Li掺杂的p-Zn_(1-x)Mg_xO∶Mg含量不同的影响 | 第52-55页 |
| ·Mg含量不同的薄膜的制备 | 第52页 |
| ·Mg含量不同对薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·Mg含量不同对薄膜结晶质量的影响 | 第54-55页 |
| ·Mg含量不同对薄膜光学性能的影响 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 Na掺杂的p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第57-80页 |
| ·生长设备、制备工艺及性能表征 | 第57-67页 |
| ·生长设备 | 第57-64页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第57-58页 |
| ·PLD的基本原理 | 第58-62页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统 | 第62-64页 |
| ·制备工艺 | 第64-66页 |
| ·靶材的制备 | 第64-65页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第65-66页 |
| ·性能表征 | 第66-67页 |
| ·Na掺杂的p-Zn_(1-x)Mg_xO:衬底温度的影响 | 第67-71页 |
| ·薄膜样品制备 | 第67页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶质量的影响 | 第67-69页 |
| ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第69-70页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第70-71页 |
| ·Na掺杂的p-Zn_(1-x)Mg_xO:生长氧压的影响 | 第71-72页 |
| ·薄膜样品制备 | 第71页 |
| ·生长氧压对薄膜电学性能的影响 | 第71-72页 |
| ·Na掺杂的p-Zn_(1-x)Mg_xO:Mg含量不同的影响 | 第72-75页 |
| ·Mg含量不同的薄膜的制备 | 第72-73页 |
| ·Mg含量不同对薄膜室温吸收谱的影响 | 第73-74页 |
| ·Mg含量不同对薄膜室温PL谱的影响 | 第74-75页 |
| ·p-Zn_(1-x)Mg_xO:Na/n-ZnO:Al异质结与I-V曲线 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-93页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
