| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GaN的结构与性质 | 第10-14页 |
| ·GaN的结构 | 第10-12页 |
| ·GaN的能带结构以及光学特性 | 第12-13页 |
| ·GaN晶体的电学性能 | 第13-14页 |
| ·GaN单晶生长衬底的选择及常用衬底 | 第14-18页 |
| ·GaN生长衬底的选择 | 第15-17页 |
| ·异质外延GaN材料的常用衬底 | 第17-18页 |
| ·Si(111)上生长GaN研究进展 | 第18-21页 |
| ·本论文的研究内容和行文安排 | 第21-22页 |
| 第2章 衬底切偏角对Si(111)上生长GaN基LED外延膜的影响 | 第22-42页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·Si衬底上生长GaN的几种常用晶面 | 第22-25页 |
| ·Si单晶晶向精确测定 | 第25-30页 |
| ·方法提要 | 第25-26页 |
| ·实验装置及步骤 | 第26-27页 |
| ·结果计算 | 第27页 |
| ·不同晶向Si单晶晶向的精确测测量与计算 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30页 |
| ·衬底切偏角度对Si衬底上生长GaN外延膜的影响 | 第30-41页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·晶体质量分析 | 第31-34页 |
| ·应力应变分析 | 第34-37页 |
| ·表面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·荧光显微镜观察 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| ·总结 | 第41-42页 |
| 第3章 不同si衬底上GaN外延膜位错研究 | 第42-62页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·位错对器件发光的影响 | 第42-43页 |
| ·位错的主要表征方法 | 第43-47页 |
| ·AFM对位错的观察 | 第43-45页 |
| ·X射线双晶衍射技术(XRD) | 第45-46页 |
| ·湿法腐蚀法对位错的研究 | 第46-47页 |
| ·XRD对不同Si衬底上GaN基LED外延膜位错密度的研究 | 第47-54页 |
| ·化学腐蚀法对不同Si衬底上外延膜位错密度的研究 | 第54-61页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·实验结论 | 第55-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| ·本章总结 | 第61-62页 |
| 第4章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 致谢 | 第71页 |