| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·图像传感器的历史 | 第8-10页 |
| ·CMOS 图像传感器的优势 | 第10-12页 |
| ·像素专利分析 | 第12-15页 |
| ·课题背景与目标 | 第15页 |
| ·论文结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 CMOS 图像传感器像素 | 第16-27页 |
| ·4T 像素PPD 像素的工作原理 | 第16-22页 |
| ·4T 像素的基本结构 | 第16页 |
| ·钳位二极管PPD | 第16-17页 |
| ·光生电荷的收集 | 第17-19页 |
| ·4T 像素的工作时序 | 第19-22页 |
| ·像拖影产生的机制 | 第22-24页 |
| ·CCD 图像传感器的图像拖影 | 第22页 |
| ·CMOS 图像传感器的图像拖影 | 第22-24页 |
| ·CMOS 图像传感器噪声分析 | 第24-27页 |
| ·固定模式噪声（FPN） | 第24-25页 |
| ·随机噪声 | 第25-27页 |
| 第三章 4T 像素的基本工艺流程 | 第27-37页 |
| ·STI（Shallow Trench Isolation）的制作 | 第27-28页 |
| ·STI 形成之后的几次离子注入 | 第28-30页 |
| ·栅氧的生长 | 第30-31页 |
| ·多晶硅栅的制作,以及轻掺杂源漏(Lightly Doped Drain,LDD) 离子注入 | 第31-33页 |
| ·形成Spacer | 第33页 |
| ·进行N 型源漏的重掺杂，进行PPD 的P+钳位层离子注入 | 第33-35页 |
| ·自对准工艺与非自对准工艺 | 第35页 |
| ·离子注入类型的选择 | 第35-37页 |
| 第四章 像素的设计及优化 | 第37-63页 |
| ·仿真软件介绍 | 第37-44页 |
| ·工艺仿真工具SProcess | 第38-39页 |
| ·器件结构生成与修饰工具SDE | 第39页 |
| ·器件仿真工具SDevice | 第39-43页 |
| ·可视化工具Tecplot | 第43-44页 |
| ·钳位二极管N 埋层光吸收效率的优化 | 第44-47页 |
| ·改进方案 | 第44-45页 |
| ·仿真验证 | 第45-47页 |
| ·N 埋层电荷转移的优化 | 第47-50页 |
| ·改进方案 | 第48-49页 |
| ·仿真验证 | 第49-50页 |
| ·非均匀传输沟道的设计 | 第50-55页 |
| ·设计方案 | 第50-52页 |
| ·仿真验证 | 第52-55页 |
| ·快速电荷转移像素版图的设计 | 第55-63页 |
| ·设计思路 | 第55-58页 |
| ·仿真验证 | 第58-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-64页 |
| ·总结 | 第63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
