| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 序言 | 第9-19页 |
| ·等离子体概述 | 第9-10页 |
| ·射频耦合等离子体源 | 第10-13页 |
| ·容性耦合等离子体放电 | 第10-11页 |
| ·螺旋波耦合等离子体源 | 第11页 |
| ·感性耦合等离子体放电 | 第11-12页 |
| ·双频容性耦合等离子体放电 | 第12-13页 |
| ·低气压射频容性耦合等离子体概况 | 第13-18页 |
| ·单频激发的容性耦合等离子体的行为 | 第13-15页 |
| ·双射频激发的容性耦合等离子体的行为 | 第15-16页 |
| ·射频耦合等离子体中的刻蚀行为 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 双频激发容性耦合等离子体实验装置 | 第19-22页 |
| ·双频激发容性耦合等离子体实验装置 | 第19-20页 |
| ·射频匹配网络 | 第20-22页 |
| 第三章 实验诊断与测量方法 | 第22-31页 |
| ·等离子体发射光谱方法 | 第22-26页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第26-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-29页 |
| ·表面轮廓仪 | 第29-31页 |
| 第四章 双频容性耦合碳氟等离子体的光谱及介质 SiO_2的刻蚀行为 | 第31-48页 |
| ·双频输入功率对极板自偏压的影响 | 第31-32页 |
| ·40.68MHz/13.56MHz 的容性耦合等离子体的谱线强度变化 | 第32-36页 |
| ·双频激发容性耦合等离子体的介质SiO_2 的刻蚀行为 | 第36-42页 |
| ·介质SiO_2 的刻蚀速率随流量比R 的变化 | 第37-38页 |
| ·介质SiO_2 的刻蚀速率随高频源功率的变化 | 第38-39页 |
| ·介质SiO_2 的刻蚀速率随基片负偏压的变化 | 第39-40页 |
| ·两种频率组合（60MHz/2MHz、40.68MHz/13.56MHz）对介质 SiO_2 刻蚀速率的对比 | 第40-42页 |
| ·两种频率组合对SiO_2 介质刻蚀后的表面形貌比较 | 第42-45页 |
| ·SiO_2 刻蚀表面的C15 光电子能谱 | 第45-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| ·本文的主要结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
