| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| ·光子晶体简介 | 第11-15页 |
| ·光子晶体局域态 | 第15-18页 |
| ·光子晶体微腔激光器的发展历程 | 第18-26页 |
| ·论文的主要研究内容和论文结构安排 | 第26-29页 |
| ·研究对象 | 第27页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第27页 |
| ·论文的结构安排 | 第27-29页 |
| 第2章 光子晶体计算的理论基础 | 第29-59页 |
| ·平面波展开法(Plane wave expansion method) | 第29-34页 |
| ·有限时域差分法(Finite-Difference Time-Domain method) | 第34-46页 |
| ·传输矩阵法(Transfer matrix method) | 第46-51页 |
| ·非周期性结构下的传输矩阵法 | 第46-49页 |
| ·周期性结构下的传输矩阵法 | 第49-51页 |
| ·多重散射法(Multiple scattering method) | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-59页 |
| 第3章 微腔面发射激光器设计与制作研究 | 第59-89页 |
| ·面发射激光器简介 | 第59-61页 |
| ·面发射激光器中光场的基本方程 | 第61-63页 |
| ·DBR反射镜的研究 | 第63-68页 |
| ·面发射激光器的光腔设计 | 第68-75页 |
| ·应变对量子阱能带的影响 | 第69-70页 |
| ·有源区量子阱增益的计算 | 第70-71页 |
| ·有源区量子阱的峰值增益和载流子浓度的关系 | 第71-72页 |
| ·最佳量子阱阱数及最佳反射镜反射率 | 第72-75页 |
| ·VCSEL的热特性分析 | 第75-80页 |
| ·氧化限制层设计 | 第80-81页 |
| ·垂直腔面发射激光器的制作工艺 | 第81-87页 |
| ·垂直腔面发激光器的关键工艺 | 第81-85页 |
| ·顶发射980nm微腔垂直腔面发激光器的工艺流程 | 第85-87页 |
| ·顶发射980nm微腔垂直腔面发激光器的输出模式 | 第87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第4章 光子晶体微腔垂直腔面发射激光器设计 | 第89-107页 |
| ·光子晶体微腔的周期排列方式 | 第89-91页 |
| ·光子晶体的能带 | 第91-95页 |
| ·光子晶体微腔的引入 | 第95页 |
| ·微腔中的模式分布 | 第95-98页 |
| ·微腔的归一化频率 | 第98-102页 |
| ·微腔的品质因数 | 第102-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第5章 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-115页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第115-116页 |
| 指导教师及作者简介 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
