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大功率半导体激光器结构研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-22页
   ·大功率半导体激光器结构研究的意义及相关领域的研究现状第14-18页
     ·大功率光抽运垂直外腔面发射半导体激光器第15-16页
     ·大功率半导体激光器的热问题第16-17页
     ·垂直腔半导体光放大器(VCSOA)第17-18页
   ·Crosslight 系列软件第18-19页
     ·LASTIP第18-19页
     ·PIC53D第19页
   ·论文的主要研究内容和论文结构安排第19-22页
     ·论文的主要研究内容第19-20页
     ·论文的结构安排第20-22页
第2章 大功率半导体激光器结构研究方法第22-66页
   ·基础物理模型介绍第22-31页
     ·漂移扩散方程第22-24页
     ·量子阱模型第24-25页
     ·光波导模型第25-27页
     ·半导体中的热效应第27-29页
     ·交流分析第29-31页
   ·LASTIP 具体模型第31-34页
     ·受激发射和速率方程第32-34页
   ·PIC53D 具体模型第34-40页
     ·柱坐标系和半导体方程式第35-36页
     ·VCSEL 中的纵模第36-37页
     ·横模:光纤类EIM第37-38页
     ·PIC53D 中各种模拟程序模块第38-40页
   ·计算模拟模型第40-58页
     ·计算模拟的核心工作流程第40-43页
     ·创建网格第43-48页
     ·设置核心计算模拟程序第48页
     ·计算预处理第48-49页
     ·求解基本方程第49-54页
     ·输出数据分类第54-55页
     ·分析结果第55-58页
   ·收敛问题第58-64页
     ·电压和电流偏压的选择第58-59页
     ·物理学边界条件第59页
     ·粗糙的网格第59页
     ·基本变量的使用第59-60页
     ·起始解的猜测第60-61页
     ·电流阻挡层的收敛问题第61-62页
     ·辅助型欧姆接触的使用第62-63页
     ·禁带宽度减小技术第63页
     ·负微分迁移率问题第63-64页
   ·本章小结第64-66页
第3章 920nm 垂直外腔面发射激光器第66-84页
   ·器件原理结构第66-69页
     ·工作原理第66-67页
     ·外延片结构第67-69页
   ·重要参数理论分析第69-78页
     ·单个谐振周期内的量子阱个数第69-70页
     ·量子阱深度第70-72页
     ·势垒宽度第72-73页
     ·非吸收层组分第73-74页
     ·非吸收层尺寸第74-76页
     ·外腔镜反射率第76-77页
     ·量子阱周期数第77-78页
   ·计算结果讨论和器件优化第78-82页
     ·计算结果讨论第78-79页
     ·器件优化第79-82页
   ·本章小结第82-84页
第4章 大功率半导体激光器温度特性研究第84-106页
   ·808nm 边发射二极管激光器特征温度第84-96页
     ·器件原理结构第85-86页
     ·理论计算结果第86-91页
     ·实验结果与讨论第91-95页
     ·结论第95-96页
   ·980nm 垂直腔面发射激光器温度特性第96-104页
     ·器件原理结构第96-98页
     ·理论计算结果第98页
     ·实验结果与讨论第98-103页
     ·结论第103-104页
   ·本章小结第104-106页
第5章 970nm 垂直腔半导体光放大器第106-114页
   ·引言第106页
   ·VCSOA 的优点及应用第106-107页
   ·器件结构和制作过程第107-110页
   ·实验结果讨论第110-111页
   ·VCSOA 结构优化设计第111-113页
   ·结论第113-114页
第6章 总结与展望第114-118页
   ·全文总结第114-116页
   ·本论文主要创新点第116-117页
   ·展望第117-118页
参考文献第118-124页
在学期间学术成果情况第124-127页
指导教师及作者简介第127-129页
致谢第129页

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