摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第1章 绪论 | 第14-22页 |
·大功率半导体激光器结构研究的意义及相关领域的研究现状 | 第14-18页 |
·大功率光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 | 第15-16页 |
·大功率半导体激光器的热问题 | 第16-17页 |
·垂直腔半导体光放大器(VCSOA) | 第17-18页 |
·Crosslight 系列软件 | 第18-19页 |
·LASTIP | 第18-19页 |
·PIC53D | 第19页 |
·论文的主要研究内容和论文结构安排 | 第19-22页 |
·论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
·论文的结构安排 | 第20-22页 |
第2章 大功率半导体激光器结构研究方法 | 第22-66页 |
·基础物理模型介绍 | 第22-31页 |
·漂移扩散方程 | 第22-24页 |
·量子阱模型 | 第24-25页 |
·光波导模型 | 第25-27页 |
·半导体中的热效应 | 第27-29页 |
·交流分析 | 第29-31页 |
·LASTIP 具体模型 | 第31-34页 |
·受激发射和速率方程 | 第32-34页 |
·PIC53D 具体模型 | 第34-40页 |
·柱坐标系和半导体方程式 | 第35-36页 |
·VCSEL 中的纵模 | 第36-37页 |
·横模:光纤类EIM | 第37-38页 |
·PIC53D 中各种模拟程序模块 | 第38-40页 |
·计算模拟模型 | 第40-58页 |
·计算模拟的核心工作流程 | 第40-43页 |
·创建网格 | 第43-48页 |
·设置核心计算模拟程序 | 第48页 |
·计算预处理 | 第48-49页 |
·求解基本方程 | 第49-54页 |
·输出数据分类 | 第54-55页 |
·分析结果 | 第55-58页 |
·收敛问题 | 第58-64页 |
·电压和电流偏压的选择 | 第58-59页 |
·物理学边界条件 | 第59页 |
·粗糙的网格 | 第59页 |
·基本变量的使用 | 第59-60页 |
·起始解的猜测 | 第60-61页 |
·电流阻挡层的收敛问题 | 第61-62页 |
·辅助型欧姆接触的使用 | 第62-63页 |
·禁带宽度减小技术 | 第63页 |
·负微分迁移率问题 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-66页 |
第3章 920nm 垂直外腔面发射激光器 | 第66-84页 |
·器件原理结构 | 第66-69页 |
·工作原理 | 第66-67页 |
·外延片结构 | 第67-69页 |
·重要参数理论分析 | 第69-78页 |
·单个谐振周期内的量子阱个数 | 第69-70页 |
·量子阱深度 | 第70-72页 |
·势垒宽度 | 第72-73页 |
·非吸收层组分 | 第73-74页 |
·非吸收层尺寸 | 第74-76页 |
·外腔镜反射率 | 第76-77页 |
·量子阱周期数 | 第77-78页 |
·计算结果讨论和器件优化 | 第78-82页 |
·计算结果讨论 | 第78-79页 |
·器件优化 | 第79-82页 |
·本章小结 | 第82-84页 |
第4章 大功率半导体激光器温度特性研究 | 第84-106页 |
·808nm 边发射二极管激光器特征温度 | 第84-96页 |
·器件原理结构 | 第85-86页 |
·理论计算结果 | 第86-91页 |
·实验结果与讨论 | 第91-95页 |
·结论 | 第95-96页 |
·980nm 垂直腔面发射激光器温度特性 | 第96-104页 |
·器件原理结构 | 第96-98页 |
·理论计算结果 | 第98页 |
·实验结果与讨论 | 第98-103页 |
·结论 | 第103-104页 |
·本章小结 | 第104-106页 |
第5章 970nm 垂直腔半导体光放大器 | 第106-114页 |
·引言 | 第106页 |
·VCSOA 的优点及应用 | 第106-107页 |
·器件结构和制作过程 | 第107-110页 |
·实验结果讨论 | 第110-111页 |
·VCSOA 结构优化设计 | 第111-113页 |
·结论 | 第113-114页 |
第6章 总结与展望 | 第114-118页 |
·全文总结 | 第114-116页 |
·本论文主要创新点 | 第116-117页 |
·展望 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-124页 |
在学期间学术成果情况 | 第124-127页 |
指导教师及作者简介 | 第127-129页 |
致谢 | 第129页 |