半导体激光器腔面光学膜关键技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·半导体激光器的研究进展 | 第12-13页 |
| ·半导体激光器光学薄膜的研究进展 | 第13-19页 |
| ·半导体激光器中的光学薄膜 | 第14-16页 |
| ·半导体激光器腔面光学薄膜制备技术 | 第16-18页 |
| ·半导体激光器光学薄膜国内外研究情况 | 第18-19页 |
| ·论文的主要内容 | 第19-22页 |
| 第二章 半导体激光器光学薄膜理论 | 第22-42页 |
| ·周期性多层薄膜理论 | 第22-34页 |
| ·单层介质薄膜的反射率 | 第22-24页 |
| ·周期性多层薄膜基本理论 | 第24-29页 |
| ·1/4λ反射薄膜在中心波长处的光谱特性 | 第29-32页 |
| ·高反射膜带宽分析 | 第32-34页 |
| ·半导体激光薄膜中的损耗 | 第34-38页 |
| ·反射膜中的吸收损耗 | 第35-36页 |
| ·反射膜中的散射损耗 | 第36-38页 |
| ·光学薄膜中的电场强度分布 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 理论模拟与光学薄膜相关的半导体激光器特性 | 第42-58页 |
| ·半导体激光器的特性 | 第42-53页 |
| ·半导体激光产生的光振荡条件 | 第42-47页 |
| ·半导体激光器主要特性参数 | 第47-53页 |
| ·理论模拟半导体激光器几个重要参数 | 第53-57页 |
| ·模拟阈值电流 | 第54页 |
| ·模拟斜率效率 | 第54-55页 |
| ·模拟输出功率 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 半导体激光薄膜损伤机理和光学薄膜的特性 | 第58-78页 |
| ·激光薄膜损伤机理 | 第58-68页 |
| ·激光薄膜损伤雪崩电离模型 | 第59-61页 |
| ·多光子吸收电离薄膜损伤 | 第61-63页 |
| ·薄膜缺陷损伤 | 第63-64页 |
| ·薄膜场效应损伤 | 第64-68页 |
| ·半导体激光器的可靠性 | 第68-72页 |
| ·材料内部晶体缺陷和应力的影响 | 第69页 |
| ·暗线和暗点 | 第69-70页 |
| ·欧姆接触退化和焊料变质 | 第70页 |
| ·俄歇复合和内部吸收的影响 | 第70-71页 |
| ·半导体激光器灾变光学镜面损伤 | 第71-72页 |
| ·光学薄膜材料的选取 | 第72-77页 |
| ·紫外区用光学薄膜材料 | 第72-74页 |
| ·红外区域使用的光学薄膜材料 | 第74-75页 |
| ·高损伤阈值激光薄膜材料 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 半导体激光器腔面光学膜的制备 | 第78-102页 |
| ·真空 | 第78-81页 |
| ·真空的定义 | 第78-79页 |
| ·真空的表示 | 第79-80页 |
| ·真空的度量单位 | 第80页 |
| ·真空级别的划分 | 第80-81页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第81页 |
| ·吸附过程 | 第81页 |
| ·成核过程 | 第81页 |
| ·薄膜的生长 | 第81页 |
| ·光学薄膜制备方法 | 第81-87页 |
| ·溅射方法制备光学薄膜 | 第81-82页 |
| ·热蒸发方法制备光学薄膜 | 第82-87页 |
| ·光学薄膜材料的选取 | 第87-91页 |
| ·二氧化硅（SiO_2）薄膜材料 | 第87-88页 |
| ·氧化铝（Al_2O_3）薄膜材料 | 第88-89页 |
| ·氧化铪（HfO_2）薄膜材料 | 第89页 |
| ·二氧化钛（TiO_2）薄膜材料 | 第89-91页 |
| ·半导体激光器光学薄膜的制备 | 第91-97页 |
| ·边发射半导体激光器光学薄膜的制备 | 第91-95页 |
| ·垂直腔面发射激光器出光窗口光学薄膜的制备 | 第95-97页 |
| ·光学薄膜对半导体激光器腔面的影响 | 第97-101页 |
| ·样品准备 | 第97-98页 |
| ·XPS 分析 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 结论与展望 | 第102-104页 |
| ·全文总结 | 第102-103页 |
| ·展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第111-113页 |
| 指导教师及作者简介 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
