| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 本论文专用术语的注释表 | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 选题背景与目的 | 第17-19页 |
| 1.3 光接收机前置放大器研究现状 | 第19-22页 |
| 1.3.1 BJT前置放大器 | 第19页 |
| 1.3.2 InP或GaAs前置放大器 | 第19-20页 |
| 1.3.3 CMOS前置放大器 | 第20-21页 |
| 1.3.4 SiGe BiCMOS前置放大器 | 第21-22页 |
| 1.4 论文主要内容和创新点 | 第22-25页 |
| 第二章 跨阻放大器噪声分析与优化设计 | 第25-43页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 噪声模型 | 第25-28页 |
| 2.2.1 MOS晶体管噪声模型 | 第25-26页 |
| 2.2.2 BJT噪声模型 | 第26-27页 |
| 2.2.3 单端输入跨阻放大器噪声模型 | 第27-28页 |
| 2.2.4 差分输入跨阻放大器噪声模型 | 第28页 |
| 2.3 等效输入噪声计算 | 第28-29页 |
| 2.4 低噪声优化电流 | 第29-32页 |
| 2.4.1 偏置电流优值 | 第30页 |
| 2.4.2 BJT电流密度优值 | 第30-32页 |
| 2.5 跨阻放大器噪声转角频率分析 | 第32-39页 |
| 2.5.1 MOS晶体管跨阻放大器转角频率 | 第33-37页 |
| 2.5.2 BJT跨阻放大器噪声高频转角频率 | 第37-39页 |
| 2.6 BJT低噪声、宽带跨阻放大器设计流程 | 第39-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 跨阻放大器拓扑结构研究 | 第43-63页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 单端跨阻放大器 | 第43-51页 |
| 3.2.1 射(源)极输入 | 第43-47页 |
| 3.2.2 基(栅)极输入 | 第47-51页 |
| 3.3 对称跨阻放大器 | 第51-61页 |
| 3.3.1 射(源)极输入 | 第51-55页 |
| 3.3.2 基(栅)极输入 | 第55-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 40Gb/s低噪声全对称TIA设计 | 第63-79页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 Cascode全对称跨阻放大器 | 第64-66页 |
| 4.3 电压放大级设计 | 第66-70页 |
| 4.4 输出缓冲级 | 第70-72页 |
| 4.5 直流失调消除与低频截止 | 第72-74页 |
| 4.6 低噪声全对称TIA后仿真 | 第74-77页 |
| 4.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 40Gb/s高线性度全对称TIA设计 | 第79-87页 |
| 5.1 引言 | 第79页 |
| 5.2 Regulated Cascode全对称跨阻放大器 | 第79-81页 |
| 5.3 自零反馈与过载补偿环路 | 第81-82页 |
| 5.4 高线性度全对称TIA后仿真 | 第82-85页 |
| 5.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 40Gb/s单端输入TIA设计 | 第87-97页 |
| 6.1 引言 | 第87页 |
| 6.2 单端输入跨阻放大器 | 第87-88页 |
| 6.3 单端转差分电路 | 第88-92页 |
| 6.4 单端输入跨阻放大器噪声分析 | 第92-93页 |
| 6.5 单端输入TIA后仿真 | 第93-95页 |
| 6.6 本章小结 | 第95-97页 |
| 第七章 芯片测试 | 第97-113页 |
| 7.1 引言 | 第97页 |
| 7.2 TIA芯片测试技术 | 第97-101页 |
| 7.2.1 小信号测试 | 第97-98页 |
| 7.2.2 噪声测试 | 第98-100页 |
| 7.2.3 大信号测试 | 第100-101页 |
| 7.3 40Gb/s低噪声全对称TIA测试 | 第101-103页 |
| 7.4 40Gb/s高线性度全对称TIA测试 | 第103-106页 |
| 7.5 40Gb/s单端输入TIA测试 | 第106-109页 |
| 7.6 本章小结 | 第109-113页 |
| 第八章 总结与展望 | 第113-115页 |
| 8.1 引言 | 第113页 |
| 8.2 本论文所做的主要工作及研究成果 | 第113-114页 |
| 8.3 对进一步研究工作的建议 | 第114-115页 |
| 附录A Global Foundries 8HP 0.13μm SiGe BiCMOS简介 | 第115-119页 |
| A.1 Global Foundries 8HP 0.13μm SiGe BiCMOS简介 | 第115页 |
| A.2 特征频率提取 | 第115-117页 |
| A.3 BJT的Kirk效应 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-127页 |
| 作者攻读博士学位期间的研究成果 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129页 |
