| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 二维层状材料的基本特性 | 第10-17页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第10-12页 |
| 1.2.2 过渡金属硫化物 | 第12-17页 |
| 1.3 过渡金属硫化物的非线性光学特性 | 第17-19页 |
| 1.4 光调制器的分类 | 第19-21页 |
| 1.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第2章 过渡金属硫化物的制备和表征 | 第22-36页 |
| 2.1 常见的过渡金属硫化物的制备方法 | 第22-26页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第22页 |
| 2.1.2 液体剥离法 | 第22-25页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第25页 |
| 2.1.4 磁控溅射沉积法 | 第25-26页 |
| 2.2 过渡金属硫化物的材料特性表征 | 第26-29页 |
| 2.2.1 拉曼测试 | 第26-27页 |
| 2.2.2 光致发光测试 | 第27-28页 |
| 2.2.3 线性透过率测试 | 第28-29页 |
| 2.3 基于过渡金属硫化物可饱和吸收体的制备 | 第29-35页 |
| 2.3.1 过渡金属硫化物可饱和吸收特性的机制 | 第29-33页 |
| 2.3.2 反射型可饱和吸收体器件 | 第33-34页 |
| 2.3.3 透射型可饱和吸收体器件 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 磁控溅射法制备端面反射型可饱和吸收体 | 第36-57页 |
| 3.1 被动锁模和被动调Q的原理 | 第36-39页 |
| 3.1.1 被动锁模的原理 | 第36-38页 |
| 3.1.2 被动调Q的原理 | 第38-39页 |
| 3.2 基于单模光纤端面型可饱和吸收体的被动调Q激光器 | 第39-47页 |
| 3.2.1 基于碲化锑的端面反射型可饱和吸收镜 | 第39-41页 |
| 3.2.2 基于二硫化钨的端面反射型可饱和吸收镜 | 第41-47页 |
| 3.3 基于单模光纤端面型可饱和吸收体的被动锁模激光器 | 第47-56页 |
| 3.3.1 基于WS_2-SAM的被动锁模激光器 | 第47-50页 |
| 3.3.2 基于WS_2-MoS_2-WS_2异质结的被动锁模激光器 | 第50-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 化学气相沉积法制备基于过渡金属硫化物的可饱和吸收体 | 第57-68页 |
| 4.1 化学气相沉积法制备少层薄膜及其表征 | 第57-61页 |
| 4.1.1 化学气相沉积法生长少层MoSe_2及其表征 | 第57-60页 |
| 4.1.2 化学气相沉积法生长少层WS_2及其表征 | 第60-61页 |
| 4.2 基于少层MoSe_2可饱和吸收体的被动调Q激光器 | 第61-64页 |
| 4.2.1 基于少层MoSe_2可饱和吸收体的制备 | 第61页 |
| 4.2.2 基于少层MoSe_2可饱和吸收体的被动调Q激光器 | 第61-64页 |
| 4.3 基于少层WS_2可饱和吸收体的被动锁模激光器 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 总结与展望 | 第68-72页 |
| 5.1 总结 | 第68-69页 |
| 5.2 论文工作的创新点 | 第69-70页 |
| 5.3 下一步工作的展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第82-83页 |
