二维过渡金属硫族化合物MX2及黑磷材料的场效应晶体管和异质结的电学特性
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 二维材料的发展 | 第8-9页 |
| 1.2 二维材料的研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 过渡金属硫族化合物与黑磷材料简介 | 第9-12页 |
| 1.2.3 二维材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2.4 二维材料场效应晶体管研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 作者主要工作简介 | 第14-16页 |
| 第2章 二维材料及其器件的制备与特性表征 | 第16-30页 |
| 2.1 二维材料及其器件的制备 | 第16-24页 |
| 2.1.1 二维材料的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.1.2 二维材料的转移及基片处理 | 第18-19页 |
| 2.1.3 材料的转移 | 第19-22页 |
| 2.1.4 电极的制备 | 第22-24页 |
| 2.2 二维材料的表征方法及光电性质的测量 | 第24-30页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.4 拉曼光谱 | 第26页 |
| 2.2.5 电学性质的测量 | 第26-28页 |
| 2.2.6 光电特性的测试 | 第28-30页 |
| 第3章 场效应管输运特性的影响因素 | 第30-62页 |
| 3.1 环境对器件输运特性的影响 | 第30-38页 |
| 3.2 温度对器件输运特性的影响 | 第38-44页 |
| 3.3 厚度对二维材料的影响 | 第44-50页 |
| 3.3.1 材料厚度对黑磷器件的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.2 材料厚度对ReS2器件的影响 | 第47-50页 |
| 3.4 光照对器件的影响 | 第50-62页 |
| 3.4.1 光照对场效应晶体管的影响 | 第50-52页 |
| 3.4.2 二维材料器件光电特性的测试 | 第52-62页 |
| 第4章 二硫化钼与黑磷异质结的输运特性 | 第62-70页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 实验方法 | 第62-63页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第63-70页 |
| 4.3.1 二硫化钼与黑磷异质结 | 第63-65页 |
| 4.3.2 二硫化钼与黑磷异质结电学特性研究 | 第65-70页 |
| 第5章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 全文总结 | 第70-71页 |
| 5.2 课题展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
