| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第16-35页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-18页 |
| 1.2 二维原子晶体材料及其光学特性介绍 | 第18-28页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第19-23页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体 | 第23-26页 |
| 1.2.3 二硫化钼 | 第26-28页 |
| 1.3 三阶非线性光学特性及应用 | 第28-32页 |
| 1.3.1 三阶非线性光学特性简介 | 第28-30页 |
| 1.3.2 三阶非线性光学特性应用 | 第30-32页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文主要研究内容及框架 | 第33-35页 |
| 第2章 三阶非线性光学测量方法及理论分析 | 第35-49页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 基本非线性光学 | 第36-38页 |
| 2.3 Z-scan技术 | 第38-46页 |
| 2.3.1 Z-scan实验装置及原理 | 第38-41页 |
| 2.3.2 Z-scan测量结果分析 | 第41-43页 |
| 2.3.3 Z-scan系统搭建及CS_2测量定标 | 第43-46页 |
| 2.4 P-scan技术 | 第46-48页 |
| 2.4.1 P-scan实验装置及原理 | 第46-47页 |
| 2.4.2 P-scan实验结果分析 | 第47-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 石墨烯的宽带可饱和吸收特性 | 第49-65页 |
| 3.1 引言 | 第49-50页 |
| 3.2 石墨烯样品的制备及表征 | 第50-51页 |
| 3.3 石墨烯在光波段的可饱和吸收 | 第51-58页 |
| 3.3.1 石墨烯在800 nm波段的可饱和吸收 | 第51-54页 |
| 3.3.2 石墨烯在1053 nm波段的可饱和吸收 | 第54-55页 |
| 3.3.3 石墨烯在1570 nm波段的可饱和吸收 | 第55-57页 |
| 3.3.4 石墨烯在1950 nm波段的可饱和吸收 | 第57-58页 |
| 3.4 石墨烯在0.1 THz波段的可饱和吸收 | 第58-63页 |
| 3.4.1 0.1 THz太赫兹波的产生 | 第58-60页 |
| 3.4.2 石墨烯在0.1THz波段的非线性吸收测量 | 第60-61页 |
| 3.4.3 实验结果分析 | 第61-63页 |
| 3.5 石墨烯可饱和吸收特性应用 | 第63-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 拓扑绝缘体的三阶非线性特性研究 | 第65-80页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 少层硒化铋样品的制备及表征 | 第66-67页 |
| 4.3 硒化铋纳米片的三阶非线性参数测量 | 第67-71页 |
| 4.3.1 实验装置图 | 第67-68页 |
| 4.3.2 非线性测量结果及讨论 | 第68-71页 |
| 4.4 拓扑绝缘体溶液的可饱和吸收 | 第71-76页 |
| 4.4.1 少层拓扑绝缘体溶液的制备 | 第71-73页 |
| 4.4.2 少层拓扑绝缘体溶液的非线性吸收特性 | 第73-75页 |
| 4.4.3 实验结果分析 | 第75-76页 |
| 4.5 拓扑绝缘体的可饱和吸收应用 | 第76-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 二硫化钼的宽带可饱和吸收特性及应用 | 第80-92页 |
| 5.1 引言 | 第80-81页 |
| 5.2 少层二硫化钼样品的制备和表征 | 第81-83页 |
| 5.2.1 少层二硫化钼纳米片的制备 | 第81-82页 |
| 5.2.2 少层二硫化钼纳米片的表征 | 第82-83页 |
| 5.3 少层二硫化钼的宽带可饱和吸收 | 第83-88页 |
| 5.3.1 实验装置图 | 第83-84页 |
| 5.3.2 非线性测量结果及讨论 | 第84-88页 |
| 5.4 少层二硫化钼的可饱和吸收应用 | 第88-90页 |
| 5.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 总结 | 第92-95页 |
| 参考文献 | 第95-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 缩写词索引 | 第110-111页 |
| 附录A 攻读博士学位期间取得的科研成果及奖励 | 第111-113页 |
| 附录B 攻读博士学位期间参与的相关课题 | 第113页 |
