摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第16-33页 |
1.1 研究背景及意义 | 第16-19页 |
1.2 被动脉冲光纤激光器的研究进展 | 第19-26页 |
1.2.1 等效可饱和吸收体脉冲光纤激光器 | 第20-22页 |
1.2.2 SESAM及CNT脉冲光纤激光器 | 第22-24页 |
1.2.3 二维原子晶体脉冲光纤激光器 | 第24-26页 |
1.3 脉冲产生机理及技术 | 第26-30页 |
1.3.1 调Q机理及技术 | 第26-28页 |
1.3.2 锁模机理及技术 | 第28-30页 |
1.4 本文主要研究内容与基本框架 | 第30-33页 |
第2章 二维原子晶体的光学特性及光纤激光器的数值模拟 | 第33-47页 |
2.1 二维原子晶体的光学特性 | 第34-40页 |
2.1.1 线性吸收 | 第34-35页 |
2.1.2 恢复时间 | 第35-36页 |
2.1.3 非线性折射率 | 第36-38页 |
2.1.4 非线性可饱和吸收 | 第38-40页 |
2.2 基于可饱和吸收体的光纤激光器数值模拟 | 第40-45页 |
2.2.1 光纤激光器数学模型 | 第40-43页 |
2.2.2 可饱和吸收体数学模型 | 第43页 |
2.2.3 饱和吸收体参数对输出脉冲参数的影响 | 第43-45页 |
2.3 小结 | 第45-47页 |
第3章 石墨烯可饱和吸收体 | 第47-59页 |
3.1 基底作超声处理提高激光器性能 | 第47-54页 |
3.1.1 超声提高目标基底亲水性的机理研究 | 第47-48页 |
3.1.2 实验设置 | 第48-49页 |
3.1.3 结果及讨论 | 第49-54页 |
3.2 石墨烯层数对激光器性能影响 | 第54-58页 |
3.2.1 石墨烯可饱和吸收体的制备 | 第54-55页 |
3.2.2 实验设置 | 第55-56页 |
3.2.3 实验结果和讨论 | 第56-58页 |
3.3 小结 | 第58-59页 |
第4章 拓扑绝缘体锁模光纤激光器 | 第59-68页 |
4.1 拓扑绝缘体:碲化铋锁模光纤激光器 | 第59-63页 |
4.1.1 碲化铋的制备及特性 | 第59-61页 |
4.1.2 光纤激光器实验设置 | 第61页 |
4.1.3 实验结果及讨论 | 第61-63页 |
4.2 拓扑绝缘体:硒化铋锁模光纤激光器 | 第63-67页 |
4.2.1 硒化铋可饱和吸收体的制备及表征 | 第63-64页 |
4.2.2 硒化铋可饱和吸收体的线性和非线性光学特性 | 第64-65页 |
4.2.3 光纤激光器设置 | 第65页 |
4.2.4 实验结果及讨论 | 第65-67页 |
4.3 小结 | 第67-68页 |
第5章 拓扑绝缘体调Q光纤激光器 | 第68-79页 |
5.1 拓扑绝缘体:硒化铋调Q光纤激光器 | 第68-76页 |
5.1.1 硒化铋可饱和吸收体的制备 | 第68页 |
5.1.2 硒化铋可饱和吸收体的特性 | 第68-72页 |
5.1.3 光纤激光器实验设置 | 第72页 |
5.1.4 实验结果及分析 | 第72-76页 |
5.2 拓扑绝缘体:碲化铋调Q光纤激光器 | 第76-78页 |
5.2.1 光纤激光器实验设置 | 第76页 |
5.2.2 实验结果及讨论 | 第76-78页 |
5.3 小结 | 第78-79页 |
第6章 高能量,波长宽带可调谐拓扑绝缘体调Q掺铒光纤激光器 | 第79-89页 |
6.1 拓扑绝缘体可饱和吸收体 | 第80-82页 |
6.1.1 可饱和吸收体的制备 | 第80页 |
6.1.2 可饱和吸收器件的非线性吸收特性 | 第80-82页 |
6.2 调Q光纤激光器 | 第82-88页 |
6.2.1 光纤激光器实验设置 | 第82页 |
6.2.2 实验结果及讨论 | 第82-88页 |
6.3 小结 | 第88-89页 |
第7章 拓扑绝缘体被动锁模光纤激光器中多孤子和类噪声孤子的形成 | 第89-97页 |
7.1 实验设置 | 第90页 |
7.2 实验结果及讨论 | 第90-96页 |
7.2.1 单孤子 | 第90-91页 |
7.2.2 多孤子 | 第91-94页 |
7.2.3 类噪声孤子 | 第94-96页 |
7.3 结论 | 第96-97页 |
结论 | 第97-100页 |
参考文献 | 第100-117页 |
缩写词索引 | 第117-118页 |
致谢 | 第118-120页 |
附录A 攻读博士学位期间已发表的论文 | 第120-123页 |
附录B 攻读博士学位期间参与的相关课题 | 第123页 |