| 中文摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 g-C_3N_4光催化剂的研究 | 第11-13页 |
| 1.2.1 C_3N_4的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 g-C_3N_4光催化剂的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 g-C_3N_4光催化剂改性的实验研究 | 第13-18页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4形貌调控 | 第14-15页 |
| 1.3.2 g-C_3N_4掺杂改性 | 第15-17页 |
| 1.3.2.1 金属离子掺杂 | 第15-16页 |
| 1.3.2.2 非金属离子掺杂 | 第16-17页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4与半导体复合改性 | 第17-18页 |
| 1.4 g-C_3N_4的理论研究 | 第18-23页 |
| 1.4.1 纯净g-C_3N_4的理论研究 | 第18-21页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4光催化剂改性的理论研究 | 第21-23页 |
| 1.4.2.1 g-C_3N_4掺杂体系的理论研究 | 第21-22页 |
| 1.4.2.2 g-C_3N_4与半导体复合体系的理论研究 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文的主要工作内容和研究重点 | 第23-25页 |
| 第二章 密度泛函理论基础 | 第25-29页 |
| 2.1 Schrodinger方程 | 第25-26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-27页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第27页 |
| 2.4 Materials-Studio软件简介 | 第27-28页 |
| 2.5 CASTEP程序包 | 第28-29页 |
| 第三章 B,F单掺杂和共掺杂修饰g-C_3N_4的理论研究 | 第29-49页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 模型和计算方法 | 第30-35页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第30-31页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第31-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-48页 |
| 3.3.1 几何结构与热力学稳定性 | 第35-37页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第37-41页 |
| 3.3.3 光生电子-空穴的有效质量 | 第41-42页 |
| 3.3.4 带边位置 | 第42-44页 |
| 3.3.5 吸收光谱 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 卤族元素不同掺杂类型修饰g-C_3N_4的理论研究 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第50-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-59页 |
| 4.3.1 几何结构与热力学稳定性 | 第51-52页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第52-57页 |
| 4.3.3 载流子有效质量 | 第57-58页 |
| 4.3.4 吸收光谱 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 五元杂环小分子修饰g-C_3N_4的理论研究 | 第60-76页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第61-63页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第63-75页 |
| 5.3.1 几何结构与热力学稳定性 | 第63-66页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第66-69页 |
| 5.3.3 光生电子-空穴的有效质量 | 第69-70页 |
| 5.3.4 带边位置 | 第70-73页 |
| 5.3.5 吸收光谱 | 第73-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 个人简历 | 第87-88页 |
| 在读期间已发表的论文 | 第88页 |
| 参加的科研项目 | 第88页 |
