| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.1.1 有机电子学 | 第9页 |
| 1.1.2 半导体存储器 | 第9-11页 |
| 1.2 本论文的研究内容和研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器存在的问题 | 第11-12页 |
| 1.2.2 具有光电存储性质的有机场效应晶体管存储器 | 第12-13页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器 | 第13-30页 |
| 2.1 有机场效应晶体管存储器基本介绍 | 第13-23页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管存储器基本结构和参数 | 第13-15页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管存储器分类 | 第15-21页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管存储器材料 | 第21-23页 |
| 2.2 具有光调控性质的有机场效应晶体管存储器 | 第23-26页 |
| 2.3 有机场效应晶体管存储器的制备 | 第26-29页 |
| 2.3.1 基片清洗 | 第27页 |
| 2.3.2 器件制备 | 第27-28页 |
| 2.3.3 器件表征和测试 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于Pentacene/PVK功能层的有机场效应晶体管光电存储器 | 第30-37页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 基于Pentacene/PVK功能层的的有机场效应晶体管光电存储器特性研究 | 第31-36页 |
| 3.2.1 器件制备与表征 | 第31-32页 |
| 3.2.2 光电存储特性研究 | 第32-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 金纳米粒子浮栅型有机场效应晶体管光电存储器 | 第37-43页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 金纳米粒子浮栅型有机场效应晶体管光电存储器特性研究 | 第37-42页 |
| 4.2.1 器件制备与表征 | 第37-39页 |
| 4.2.2 器件光电存储特性研究 | 第39-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 聚合物混合电介体层的有机场效应晶体管光电存储器研究 | 第43-51页 |
| 5.1 引言 | 第43-44页 |
| 5.2 基于PVK POSS混合电介体层的有机场效应晶体管存储器特性研究 | 第44-47页 |
| 5.2.1 器件制备与表征 | 第44-45页 |
| 5.2.2 光电存储特性研究 | 第45-47页 |
| 5.3 基于PVK 944混合电介体层的有机场效应晶体管存储器特性研究 | 第47-50页 |
| 5.3.1 器件制备与表征 | 第47-48页 |
| 5.3.2 多阶存储特性研究 | 第48-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第56-57页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第57-58页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
