| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 拓扑绝缘体简介 | 第10-17页 |
| 1.2.1 二维拓扑绝缘体 | 第11-12页 |
| 1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第12-14页 |
| 1.2.3 拓扑绝缘体的奇特性质及应用 | 第14-17页 |
| 1.3 Bi_2Se_3的制备方法研究 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的研究内容和结构安排 | 第18-20页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第20-35页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第20页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第20页 |
| 2.2 材料制备技术 | 第20-25页 |
| 2.2.1 超高真空维护 | 第20-22页 |
| 2.2.2 分子束外延技术 | 第22-25页 |
| 2.3 形貌结构表征手段 | 第25-33页 |
| 2.3.1 反射式高能电子衍射仪 | 第25-27页 |
| 2.3.2 扫描隧道显微镜 | 第27-30页 |
| 2.3.3 高分辨率X射线衍射仪 | 第30-32页 |
| 2.3.4 拉曼效应 | 第32-33页 |
| 2.4 电学表征手段 | 第33-35页 |
| 2.4.1 霍尔效应 | 第33页 |
| 2.4.2 变温I-V测试 | 第33-35页 |
| 第三章 Bi_2Se_3薄膜分子束外延制备与性质研究 | 第35-53页 |
| 3.1 实验内容 | 第35-36页 |
| 3.2 高指数Si(211)衬底上Bi_2Se_3薄膜制备及其形貌结构研究 | 第36-44页 |
| 3.2.1 高指数Si(211)表面结构研究 | 第36-38页 |
| 3.2.2 氢钝化Si(211)上Bi_2Se_3外延生长研究 | 第38-39页 |
| 3.2.3 铋钝化Si(211)表面上Bi_2Se_3外延生长研究 | 第39-42页 |
| 3.2.4 铋钝化Si(211)表面Bi_2Se_3薄膜的结构分析 | 第42-44页 |
| 3.3 斜切Si(111)衬底上Bi_2Se_3薄膜外延制备研究 | 第44-48页 |
| 3.3.1 8°斜切Si(111)表面结构研究 | 第44-45页 |
| 3.3.2 斜切Si(111)表面外延Bi_2Se_3薄膜研究 | 第45-47页 |
| 3.3.3 斜切Si(111)表面Bi_2Se_3薄膜XRD表征 | 第47-48页 |
| 3.4 Bi_2Se_3薄膜及其异质结电学性质研究 | 第48-52页 |
| 3.4.1 Bi_2Se_3薄膜霍尔测试 | 第49页 |
| 3.4.2 Bi_2Se_3薄膜与Si异质结电学性能研究 | 第49-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格在蓝宝石衬底上的制备及其面内应变研究 | 第53-64页 |
| 4.1 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格简介 | 第53页 |
| 4.2 Bi_2Se_3薄膜在蓝宝石衬底上的可控生长研究 | 第53-56页 |
| 4.2.1 Bi_2Se_3薄膜在蓝宝石衬底上的制备 | 第53-55页 |
| 4.2.2 Bi_2Se_3薄膜结构表征 | 第55-56页 |
| 4.3 超晶格的制备与结构表征 | 第56-60页 |
| 4.3.1 超晶格制备 | 第56-58页 |
| 4.3.2 超晶格结构表征 | 第58-60页 |
| 4.4 超晶格生长过程中面内应变分析 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 主要结论与创新点 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72页 |
