| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 论文的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国外同类产品技术的现状和发展趋势 | 第12-24页 |
| 1.2.1 国外同类产品技术的现状 | 第12-22页 |
| 1.2.2 国外同类产品技术的发展趋势 | 第22-24页 |
| 1.3 国内研究动态 | 第24-25页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第25页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第25-27页 |
| 第二章 薄膜声体波谐振器（FBAR）的原理和应用 | 第27-34页 |
| 2.1 薄膜声体波谐振器的基本原理和用途 | 第27-31页 |
| 2.2 薄膜声体波谐振器在现代通信电子系统中的应用 | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 薄膜声体波谐振器（FBAR）总体方案和关键技术 | 第34-40页 |
| 3.1 薄膜体声波谐振器参数设计方案 | 第34-38页 |
| 3.1.1 薄膜体声波谐振器结构选择 | 第34-36页 |
| 3.1.2 薄膜体声波谐振器电极及压电薄膜材料的选择 | 第36-37页 |
| 3.1.3 基片的选择 | 第37页 |
| 3.1.4 器件的温度稳定性 | 第37-38页 |
| 3.1.5 工艺流程设计 | 第38页 |
| 3.2 薄膜体声波谐振器制备关键技术 | 第38-39页 |
| 3.2.1 FBAR器件设计 | 第38页 |
| 3.2.2 压电薄膜生长技术 | 第38-39页 |
| 3.2.3 ZnO压电薄膜选择性光刻 | 第39页 |
| 3.2.4 Si的三维化学各向异性深槽刻蚀技术 | 第39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 薄膜声体波谐振器（FBAR）的仿真设计分析 | 第40-56页 |
| 4.1 薄膜声体波谐振器仿真模型建立 | 第40-44页 |
| 4.1.1 等效电路模型 | 第40-43页 |
| 4.1.1.1 一维Mason模型 | 第40-41页 |
| 4.1.1.2 一维传输矩阵模型 | 第41页 |
| 4.1.1.3 MBVD等效电路模型 | 第41-43页 |
| 4.1.2 有限元模型 | 第43页 |
| 4.1.3 不同模型的特点 | 第43-44页 |
| 4.2 薄膜声体波谐振器设计仿真分析 | 第44-55页 |
| 4.2.1 高机电耦合系数薄膜体声波谐振器优化设计 | 第44-46页 |
| 4.2.1.1 金属、压电层膜厚比优化设计 | 第44-45页 |
| 4.2.1.2 谐振面积优化设计 | 第45-46页 |
| 4.2.2 低杂波高Q值薄膜体声波谐振器优化设计 | 第46-55页 |
| 4.2.2.1 薄膜体声波谐振器电极面积的优化设计 | 第47-50页 |
| 4.2.2.2 薄膜体声波谐振器电极形状优化设计 | 第50-53页 |
| 4.2.2.3 薄膜体声波谐振器牺牲层释放窗.优化设计 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 薄膜声体波谐振器（FBAR）制备技术研究内容和结果 | 第56-78页 |
| 5.1 FBAR工艺方案的设计研究 | 第56-57页 |
| 5.1.1 气隙隔离结构 | 第56页 |
| 5.1.2 横膈膜结构 | 第56-57页 |
| 5.2 FBAR器件版图设计 | 第57-58页 |
| 5.2.1 气隙隔离结构器件版图 | 第57-58页 |
| 5.2.2 横膈膜结构器件版图 | 第58页 |
| 5.3 FBAR器件工艺流程和工艺参数的研究 | 第58-60页 |
| 5.3.1 气隙隔离结构 | 第58-59页 |
| 5.3.2 横膈膜结构 | 第59-60页 |
| 5.4 FBAR器件气隙隔离结构牺牲层方案部分工艺技术研究 | 第60-69页 |
| 5.5 FBAR器件横膈膜结构方案工艺和换能器设计技术研究 | 第69-75页 |
| 5.5.1 Si的三维化学各向异性深槽刻蚀技术的研究 | 第69-71页 |
| 5.5.2 低损耗换能器设计及制作技术研究 | 第71-72页 |
| 5.5.3 优质ZnO压电薄膜生长技术研究 | 第72-73页 |
| 5.5.3.1 ZnO薄膜C轴垂直取向度的控制技术 | 第72页 |
| 5.5.3.2 ZnO薄膜组成成分控制技术 | 第72-73页 |
| 5.5.3.3 ZnO薄膜的体电阻率控制技术 | 第73页 |
| 5.5.3.4 ZnO薄膜的制备参数和性能 | 第73页 |
| 5.5.4 换能器结构层不同薄膜材料的选择性刻蚀技术研究 | 第73-75页 |
| 5.5.5 FBAR芯片划片工艺技术研究 | 第75页 |
| 5.6 达到的技术指标 | 第75-77页 |
| 5.7 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 6.1 本文的主要贡献 | 第78-79页 |
| 6.2 下一步工作的展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第84-86页 |
