单片低噪声放大器技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 研究低噪声放大器的意义 | 第10页 |
| 1.2 微波单片集成电路的发展动态 | 第10-18页 |
| 1.2.1 单片微波集成电路的简介 | 第10-12页 |
| 1.2.2 MMIC LNA国外发展概况 | 第12-16页 |
| 1.2.3 MMIC LNA国内发展概况 | 第16-18页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 器件及工艺 | 第19-34页 |
| 2.1 基片材料 | 第19-21页 |
| 2.2 MMIC常用晶体管类型 | 第21-28页 |
| 2.2.1 传统的双极型晶体管 | 第21页 |
| 2.2.2 异质结双极型晶体管HBT | 第21-22页 |
| 2.2.3 场效应晶体管 | 第22-25页 |
| 2.2.4 高电子迁移率晶体管 | 第25-28页 |
| 2.3 MMIC中常用的无源器件 | 第28-32页 |
| 2.3.1 MMIC中的电阻 | 第28-29页 |
| 2.3.2 MMIC中的电容 | 第29-31页 |
| 2.3.3 MMIC中的电感 | 第31-32页 |
| 2.4 MMIC工艺线选择 | 第32-33页 |
| 2.5 小结 | 第33-34页 |
| 第三章 低噪声放大器的设计理论 | 第34-42页 |
| 3.1 低噪声放大器的主要性能指标 | 第34-39页 |
| 3.1.1 噪声系数 | 第34-35页 |
| 3.1.2 增益以及增益平坦度 | 第35-37页 |
| 3.1.3 工作频率 | 第37页 |
| 3.1.4 端.驻波比 | 第37-38页 |
| 3.1.5 稳定系数 | 第38-39页 |
| 3.1.6 放大器的 1dB功率压缩点 | 第39页 |
| 3.2 单片低噪声放大器的基本设计原则 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Ku波段低噪声放大器的设计 | 第42-64页 |
| 4.1 设计指标 | 第42页 |
| 4.2 电路设计方案 | 第42-44页 |
| 4.3 放大电路设计 | 第44-63页 |
| 4.3.1 直流工作点的选取 | 第44-46页 |
| 4.3.2 偏置网络设计 | 第46-48页 |
| 4.3.3 稳定性设计 | 第48-50页 |
| 4.3.4 单级放大电路设计 | 第50-54页 |
| 4.3.5 级联匹配 | 第54-58页 |
| 4.3.6 整体电路优化及版图设计 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 S波段低噪声放大器的设计 | 第64-74页 |
| 5.1 设计指标 | 第64页 |
| 5.2 放大电路设计 | 第64-70页 |
| 5.2.1 电路基本设计方案 | 第64页 |
| 5.2.2 偏置网络设计 | 第64-65页 |
| 5.2.3 稳定性设计 | 第65-66页 |
| 5.2.4 电路结构优化及版图设计 | 第66-70页 |
| 5.3 芯片测试与分析 | 第70-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80-81页 |
