| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 LED的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物材料结构性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 LED发光原理及机制 | 第13-14页 |
| 1.3 影响GaN基LED性能提高的因素 | 第14-18页 |
| 1.4 电极结构设计和微结构LED阵列简介 | 第18-21页 |
| 1.5 论文框架 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 材料生长制备和表征 | 第27-44页 |
| 2.1 外延片生长表征技术 | 第27-32页 |
| 2.2 电极制备工艺技术 | 第32-35页 |
| 2.3 外延片的制备和表征测试 | 第35-40页 |
| 2.3.1 外延片生长 | 第36-38页 |
| 2.3.2 表征测试分析 | 第38-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 传统盘状电极制作 | 第44-56页 |
| 3.1 电极制作 | 第44-52页 |
| 3.1.1 n型电极的制作 | 第44-48页 |
| 3.1.2 p型电极的制作 | 第48-52页 |
| 3.2 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 阵列电极的设计与制作研究 | 第56-68页 |
| 4.1 p型阵列电极设计与制作 | 第56-58页 |
| 4.1.1 p型阵列电极的设计 | 第56-57页 |
| 4.1.2 p型阵列电极的制作 | 第57-58页 |
| 4.2 表征测试分析 | 第58-61页 |
| 4.3 理论分析 | 第61-65页 |
| 4.3.1 电极表面等离子激元对半导体发光器件性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.2 电流注入在p-GaN中的扩散分布机制 | 第62-64页 |
| 4.3.3 光提取效率的增强 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 附录 硕士期间发表论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |