| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 Si基Ge PIN光电探测器的研究进展 | 第12-16页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 Si基Ge探测器的带宽计算和结构设计 | 第20-37页 |
| 2.1 Si基Ge探测器的应用要求 | 第20-22页 |
| 2.2 Ge PIN探测器工作带宽的理论计算 | 第22-31页 |
| 2.3 Si基Ge PIN探测器的优化设计 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 Si基Ge探测器接触电极研究 | 第37-55页 |
| 3.1 金属与半导体的接触问题及比接触电阻率提取模型 | 第37-40页 |
| 3.1.1 金属与半导体的接触 | 第37-38页 |
| 3.1.2 金属与半导体接触比接触电阻率提取模型 | 第38-40页 |
| 3.2 金属与p型Ge接触研究 | 第40-43页 |
| 3.3 金属与n型半导体接触研究 | 第43-52页 |
| 3.3.1 金属与n型Ge接触研究 | 第44-48页 |
| 3.3.2 Al与n型Si接触研究 | 第48-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 Si基Ge PIN光电探测器的制备 | 第55-74页 |
| 4.1 Si基Ge外延材料的制备和表征 | 第55-63页 |
| 4.1.1 Si衬底上Ge PIN材料的制备和表征 | 第55-60页 |
| 4.1.2 SOI衬底上Ge PIN材料的制备和表征 | 第60-63页 |
| 4.2 Si基Ge PIN光电探测器制作工艺 | 第63-68页 |
| 4.2.1 Si基Ge探测器的版图设计 | 第63-64页 |
| 4.2.2 Si基Ge PIN探测器的制作工艺过程 | 第64-68页 |
| 4.3 Si基Ge光电探测器测试结果与讨论 | 第68-72页 |
| 4.3.1 探测器的I-V特性 | 第68-70页 |
| 4.3.2 探测器的响应度 | 第70页 |
| 4.3.3 探测器的3-dB带宽 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 总结与展望 | 第74-75页 |
| 附录 硕士期间科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
