| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 溶液过程材料简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 胶体量子点 | 第13-15页 |
| 1.2.2 有机物 | 第15-17页 |
| 1.3 胶体量子点光探测器发展历程 | 第17-19页 |
| 1.4 光电导型量子点光探测器 | 第19-20页 |
| 1.5 量子点光电二极管 | 第20-21页 |
| 1.6 量子点场效应光电晶体管 | 第21-25页 |
| 1.6.1 横向量子点场效应晶体管结构 | 第22-23页 |
| 1.6.2 横向量子点场效应晶体管电学原理 | 第23-24页 |
| 1.6.3 垂直场效应晶体管 | 第24-25页 |
| 1.7 主要研究内容 | 第25-29页 |
| 第二章 垂直场效应光电晶体管的原理 | 第29-41页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 垂直场效应光电晶体管的导电原理 | 第30-34页 |
| 2.2.1 等势面 | 第30-31页 |
| 2.2.2 反转点 | 第31页 |
| 2.2.3 沟道中的电流 | 第31-32页 |
| 2.2.4 垂直场效应光电晶体管导电原理 | 第32-33页 |
| 2.2.5 相关电学特征参数 | 第33-34页 |
| 2.3 垂直场效应光电晶体管的光电响应原理 | 第34-35页 |
| 2.4 量子点垂直场效应光电晶体管的性能参数 | 第35-39页 |
| 2.4.1 增益 | 第35-37页 |
| 2.4.2 电流响应度 | 第37页 |
| 2.4.3 外量子效率 | 第37页 |
| 2.4.4 噪声与探测率 | 第37-39页 |
| 2.5 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 基于量子点的垂直场效应光电晶体管的制备与表征 | 第41-53页 |
| 3.1 量子点的制备 | 第41-46页 |
| 3.1.1 量子点的反应过程 | 第41-44页 |
| 3.1.2 量子点的表征 | 第44-46页 |
| 3.2 金银纳米线的制备及表征 | 第46-49页 |
| 3.2.1 金银纳米线的制备 | 第47-48页 |
| 3.2.2 金银纳米线的表征 | 第48-49页 |
| 3.3 垂直场效应光电晶体管的制备过程 | 第49-51页 |
| 3.3.1 垂直场效应光电晶体管的器件结构 | 第49页 |
| 3.3.2 金属电极的蒸镀 | 第49-50页 |
| 3.3.3 量子点光敏层的制备 | 第50-51页 |
| 3.4 量子点光电晶体管的电学测量 | 第51页 |
| 3.5 小结 | 第51-53页 |
| 第四章 基于量子点的垂直场效应光电晶体管 | 第53-65页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 PbSe量子点简介 | 第54-55页 |
| 4.3 量子点垂直场效应光电晶体管的制备,表征及测量 | 第55-57页 |
| 4.3.1 PbSe量子点的制备与表征 | 第55页 |
| 4.3.2 金银纳米线的制备与表征 | 第55-56页 |
| 4.3.3 器件的制备,表征及测量 | 第56-57页 |
| 4.4 量子点垂直场效应光电晶体管的电学性质 | 第57-59页 |
| 4.4.1 器件的电学工作原理 | 第57-58页 |
| 4.4.2 器件的传输特性及转移特性 | 第58页 |
| 4.4.3 器件的载流子迁移率 | 第58-59页 |
| 4.5 量子点垂直场效应光电晶体管的光学特性 | 第59-64页 |
| 4.5.1 器件的光学传感机制 | 第59页 |
| 4.5.2 不同光照强度下器件的电流特性 | 第59-60页 |
| 4.5.3 电流响应度 | 第60-61页 |
| 4.5.4 增益 | 第61-62页 |
| 4.5.5 探测率 | 第62页 |
| 4.5.6 瞬时光开关响应 | 第62-64页 |
| 4.5.7 器件的光探测性能与ZnO纳米结构器件的比较 | 第64页 |
| 4.6 小结 | 第64-65页 |
| 第五章 沟道长度对量子点垂直场效应光电晶体管性能的影响 | 第65-77页 |
| 5.1 引言 | 第65-66页 |
| 5.2 不同沟道长度的器件制备及表征 | 第66-69页 |
| 5.2.1 量子点的特性 | 第66-67页 |
| 5.2.2 金银纳米线的制备及表征 | 第67页 |
| 5.2.3 量子点垂直场效应光电晶体管的制备及表征 | 第67-69页 |
| 5.3 不同沟道长度垂直结构量子点器件的电学特性 | 第69-70页 |
| 5.3.1 270 nm沟道长度器件的传输特性及转移特性 | 第69-70页 |
| 5.3.2 沟道长度对场效应迁移率的影响 | 第70页 |
| 5.4 不同沟道长度量子点垂直场效应光电晶体管的性能 | 第70-76页 |
| 5.4.1 沟道长度为980nm的光探测性能 | 第70-73页 |
| 5.4.2 不同沟道长度相同光照强度下的光电响应特性 | 第73-75页 |
| 5.4.3 沟道长度对器件响应时间的影响 | 第75-76页 |
| 5.5 小结 | 第76-77页 |
| 第六章 基于P3HT/PbS量子点层异质结垂直场效应光电晶体管 | 第77-93页 |
| 6.1 引言 | 第77-78页 |
| 6.2 量子点和聚合物场效应光电晶体管简介 | 第78-79页 |
| 6.2.1 P3HT简介 | 第78-79页 |
| 6.2.2 量子点/有机物复合场效应光电晶体管 | 第79页 |
| 6.3 器件制备及表征 | 第79-82页 |
| 6.3.1 PbS量子点的制备及表征 | 第79-80页 |
| 6.3.2 金银纳米线的制备及表征 | 第80-81页 |
| 6.3.3 器件的制备,表征及测试 | 第81-82页 |
| 6.4 器件的传输特性及转移特性 | 第82-83页 |
| 6.5 器件的光探测性能 | 第83-87页 |
| 6.5.1 不同光照强度下器件的电流特性 | 第83-84页 |
| 6.5.2 器件的电流响应度及外量子效率 | 第84-85页 |
| 6.5.3 器件的增益 | 第85页 |
| 6.5.4 器件的探测率 | 第85-87页 |
| 6.6 器件的光开关响应 | 第87-89页 |
| 6.7 器件的光电响应机制 | 第89-90页 |
| 6.8 溶液过程复合光探测器性能总结 | 第90-92页 |
| 6.9 小结 | 第92-93页 |
| 第七章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 7.1 总结 | 第93-94页 |
| 7.2 展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-127页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
