基于巨磁电阻效应的线性可调传感器研究
摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 磁电子学简介 | 第10页 |
1.2 磁电阻效应综述 | 第10-15页 |
1.2.1 磁电阻效应简史 | 第10-12页 |
1.2.2 巨磁电阻效应的理论解释 | 第12-15页 |
1.3 自旋阀结构 | 第15-17页 |
1.3.1 自旋阀结构简介 | 第15页 |
1.3.2 自旋阀原理简介 | 第15-17页 |
1.4 巨磁电阻效应的应用 | 第17-19页 |
1.4.1 磁电阻磁头 | 第17-18页 |
1.4.2 磁电阻传感器 | 第18页 |
1.4.3 磁随机存储器(MRAM) | 第18-19页 |
1.5 GMR传感器的研究进展与应用前景 | 第19-20页 |
1.5.1 GMR传感器的研究进展 | 第19-20页 |
1.5.2 GMR传感器的应用前景 | 第20页 |
1.6 论文的主要内容 | 第20-22页 |
第二章 薄膜的制备和测试方法 | 第22-33页 |
2.1 自旋阀薄膜的制备 | 第22-25页 |
2.2 磁场旋转夹具的制作 | 第25-29页 |
2.3 测试方法 | 第29-31页 |
2.3.1 磁性参数测试 | 第29-30页 |
2.3.2 自旋阀薄膜巨磁电阻测试 | 第30-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-33页 |
第三章 双钉扎自旋阀薄膜的研究 | 第33-58页 |
3.1 双钉扎自旋阀结构 | 第33-39页 |
3.1.1 双钉扎自旋阀与单钉扎线性自旋阀的介绍 | 第33-37页 |
3.1.2 交换偏置效应 | 第37-38页 |
3.1.3 双钉扎自旋阀的敏感层与参考层的介绍 | 第38-39页 |
3.2 顶钉扎结构交换偏置效应研究 | 第39-44页 |
3.2.1 基于普通夹具的顶钉扎结构研究 | 第39-41页 |
3.2.2 基于磁场旋转夹具的顶钉扎结构研究 | 第41-44页 |
3.3 底钉扎结构交换偏置效应研究 | 第44-48页 |
3.3.1 基于普通夹具的底钉扎结构研究 | 第44-46页 |
3.3.2 基于磁场旋转夹具的底钉扎结构研究 | 第46-48页 |
3.4 基于磁场旋转夹具的自旋阀结构研究 | 第48-51页 |
3.5 双钉扎结构自旋阀的线性区域调制 | 第51-54页 |
3.6 双钉扎自旋阀线性优化 | 第54-57页 |
3.7 本章小结 | 第57-58页 |
第四章 巨磁阻传感器的制作和测试研究 | 第58-72页 |
4.1 自旋阀薄膜磁阻单桥传感器 | 第58-63页 |
4.1.1 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器工作原理 | 第58-59页 |
4.1.2 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器的性能参数 | 第59页 |
4.1.3 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器的设计 | 第59-60页 |
4.1.4 自旋阀薄膜磁阻单元条制作工艺 | 第60-62页 |
4.1.5 自旋阀薄膜单条传感器的测试 | 第62-63页 |
4.2 自旋阀线性传感器的研究 | 第63-71页 |
4.2.1 自旋阀线性传感器的工作原理 | 第63-65页 |
4.2.2 自旋阀线性传感器的性能指标 | 第65页 |
4.2.3 自旋阀线性传感器版图设计 | 第65页 |
4.2.4 自旋阀线性传感器工艺流程 | 第65-69页 |
4.2.5 自旋阀线性传感器的测量 | 第69-71页 |
4.3 本章小结 | 第71-72页 |
第五章 结论 | 第72-74页 |
5.1 论文工作所取得的成果 | 第72-73页 |
5.2 论文的创新和展望 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
攻读硕士期间取得的研究成果 | 第78-79页 |