| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1. 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 选题目的及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和进展 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2. 样品制备及表征方法 | 第15-26页 |
| 2.1 氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)材料 | 第15-16页 |
| 2.2 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第16-17页 |
| 2.3 晶体硅片 | 第17-18页 |
| 2.4 表征方法 | 第18-26页 |
| 3. 基于Si F4/H_2/Ar等离子体的材料研究 | 第26-43页 |
| 3.1 H_2流率对PECVD沉积硅薄膜的孵化时间及晶粒尺寸的影响 | 第27-31页 |
| 3.2 PECVD中射频输入功率对硅薄膜结构的影响 | 第31-35页 |
| 3.3 等离子体中产生的纳米颗粒及其对薄膜沉积的影响 | 第35-39页 |
| 3.4 基于 SiF_4/H_2/Ar混合气体的薄膜太阳能电池 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 4. 微晶硅太阳能电池本征层晶化率对电池性能影响的计算机模拟分析 | 第43-52页 |
| 4.1 微晶硅薄膜太阳能电池模型的参数设定 | 第43-46页 |
| 4.2 模拟结果和分析 | 第46-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 5. SIF_4 和H_2在PECVD过程中对硅基底样品的刻蚀作用 | 第52-63页 |
| 5.1 SiF_4 对非晶硅薄膜以及单晶硅片表面的刻蚀效应 | 第52-57页 |
| 5.2 H_2 对单晶硅片表面的刻蚀效应 | 第57-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 6. 结论及研究展望 | 第63-66页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 研究展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
