| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·铁电材料 PZT 概述 | 第10-15页 |
| ·半导体材料 GaN 概述 | 第15-18页 |
| ·铁电/半导体集成薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第19-24页 |
| 第二章 薄膜的制备及结构、性能表征方法 | 第24-33页 |
| ·PZT 薄膜的制备方法 | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积及其系统简介 | 第25-27页 |
| ·薄膜微观结构的表征 | 第27-30页 |
| ·X 射线衍射分析(XRD) | 第27-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| ·PZT 薄膜的性能表征方法 | 第30-33页 |
| ·PZT 薄膜电滞回线和疲劳特性的测量 | 第31页 |
| ·PZT 薄膜绝缘性能（漏电流）的测量 | 第31-33页 |
| 第三章 蓝宝石 Al_2O_3衬底上 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第33-52页 |
| ·底电极在 Al_2O_3上的生长研究 | 第33-42页 |
| ·Pt 电极在 Al_2O_3上的生长研究 | 第35-40页 |
| ·SrRuO_3电极在 Al_2O_3上的生长研究 | 第40-42页 |
| ·Al_2O_3基片上 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第42-51页 |
| ·Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3陶瓷靶材的制备 | 第42-44页 |
| ·在 Al_2O_3基片上 PZT 薄膜的生长研究 | 第44-47页 |
| ·在 Al_2O_3基片上 PZT 薄膜的性能测试 | 第47-51页 |
| ·本章总结 | 第51-52页 |
| 第四章 Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3与 GaN 集成结构研究 | 第52-61页 |
| ·在 GaN 上直接生长 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第52-54页 |
| ·在 GaN 上使用缓冲层生长 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第54-60页 |
| ·在 GaN 上使用 MgO 缓冲层生长 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第55-57页 |
| ·在 GaN 上使用 TiO_2缓冲层生长 PZT 薄膜的生长研究及性能测试 | 第57-60页 |
| ·本章总结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第68-69页 |
