| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·介电/半导体异质结构的研究现状 | 第14-18页 |
| ·STO 薄膜的结构与性能 | 第14-15页 |
| ·GaN 以及Al_XGa_(1-X)N/GaN 的结构与性能 | 第15-16页 |
| ·STO/AlGaN 异质薄膜生长控制 | 第16-18页 |
| ·缓冲层对STO/AlGaN/GaN 异质薄膜生长的影响 | 第18-21页 |
| ·TiO_2缓冲生长STO 薄膜 | 第18-20页 |
| ·MgO 缓冲生长STO 薄膜 | 第20页 |
| ·MgO 与TiO_2 复合缓冲生长STO 薄膜 | 第20-21页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜的制备方法以及表征原理 | 第22-38页 |
| ·薄膜的制备系统及简介 | 第22-23页 |
| ·薄膜的微观结构表征 | 第23-26页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第25-26页 |
| ·薄膜的电学性能表征原理 | 第26-38页 |
| ·欧姆接触 | 第26-27页 |
| ·变温霍尔效应原理 | 第27-31页 |
| ·电流-电压（I-V）特性测量原理 | 第31-33页 |
| ·电容-电压（C-V）特性测量原理 | 第33-38页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 上STO 薄膜的制备 | 第38-47页 |
| ·单层STO 薄膜 | 第38-39页 |
| ·TiO_2缓冲生长STO 薄膜 | 第39-42页 |
| ·MgO 缓冲生长STO 薄膜 | 第42-44页 |
| ·MgO 与TiO_2复合缓冲生长STO 薄膜 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 STO/AlGaN/GaN 异质薄膜的电学性能测量 | 第47-57页 |
| ·HALL 效应的测试 | 第47-50页 |
| ·电容-电压（C-V）特性 | 第50-53页 |
| ·电流-电压（I-V）特性 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 STO/AlGaN/GaN 异质薄膜的微细加工工艺 | 第57-65页 |
| ·光刻工艺的基本流程 | 第57-60页 |
| ·MIS 器件的制备 | 第60-62页 |
| ·MOSHEMT 器件的制备 | 第62-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
