| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第16-21页 |
| 1.2.1 应变和高k的发展及现状 | 第16-18页 |
| 1.2.2 MOS器件辐照特性的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3 本论文的主要工作和章节安排 | 第21-23页 |
| 第二章 Si基应变技术 | 第23-33页 |
| 2.1 应力引入方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 衬底致全局应变 | 第23-24页 |
| 2.1.2 工艺致局部应变 | 第24-25页 |
| 2.2 应变Si材料物理特性 | 第25-29页 |
| 2.2.1 应变Si能带结构 | 第25-26页 |
| 2.2.2 载流子迁移率增强 | 第26页 |
| 2.2.3 应变Si材料物理参数 | 第26-29页 |
| 2.3 应变Si_(1-x)Ge_x材料物理特性 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 HfO_2应变MOS的制备和电学特性研究 | 第33-49页 |
| 3.1 HfO_2应变MOS的制备 | 第33-35页 |
| 3.1.1 高k介质的种类和制备方法 | 第33-34页 |
| 3.1.2 HfO_2的ALD制备 | 第34-35页 |
| 3.2 HfO_2高k栅介质的主要参数 | 第35-37页 |
| 3.3 MOS界面特性的C-V测量 | 第37-40页 |
| 3.3.1 界面态测量 | 第38-39页 |
| 3.3.2 氧化层陷阱的测量 | 第39-40页 |
| 3.4 HfO_2高k栅电流模型 | 第40-47页 |
| 3.4.1 几种高k栅电流模型 | 第40-43页 |
| 3.4.2 MOS栅电流计算模型 | 第43-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 HfO_2应变MOS的界面特性研究 | 第49-61页 |
| 4.1 HfO_2应变MOS的制备与栅电流模型 | 第49-52页 |
| 4.1.1 材料器件制备 | 第49-50页 |
| 4.1.2 高k栅电流模型 | 第50页 |
| 4.1.3 实验测试方案 | 第50-52页 |
| 4.2 HfO_2应变Si MOS的界面特性研究 | 第52-56页 |
| 4.2.1 退火对C-V特性的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.2 退火对栅电流的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.3 SILC效应对HfO_2应变Si MOS Ig~Vg特性的影响 | 第55-56页 |
| 4.3 HfO2应变SiGe MOS的界面性研究 | 第56-60页 |
| 4.3.1 退火对C-V特性的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.2 退火对栅电流的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.3 SILC效应对HfO2应变SiGe MOS Ig-Vg特性的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 应变Si PMOS γ 总剂量辐效应照研究 | 第61-79页 |
| 5.1 MOS辐照损伤效应 | 第61-62页 |
| 5.2 应变Si PMOS的辐照物理模型 | 第62-70页 |
| 5.2.1 实验器件的制备 | 第62页 |
| 5.2.2 辐照的物理机制 | 第62-63页 |
| 5.2.3 辐照物的理模型 | 第63-67页 |
| 5.2.4 应变Si PMOS辐照阈值建模 | 第67-70页 |
| 5.3 模型仿真与验证 | 第70-78页 |
| 5.3.1 辐照阈值特性 | 第70-74页 |
| 5.3.2 跨导和迁移率的变化 | 第74-78页 |
| 5.3.3 加固措施 | 第78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 结论与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
