| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 SOI技术概述 | 第14-18页 |
| 1.2 本论文研究背景 | 第18-22页 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 | 第22-24页 |
| 第二章 双轴应变Si喇曼谱透射深度及应力模型研究 | 第24-34页 |
| 2.1 喇曼表征技术 | 第24-25页 |
| 2.2 透射深度实验分析 | 第25-28页 |
| 2.2.1 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验分析 | 第26-28页 |
| 2.3 喇曼谱应力理论模型 | 第28-31页 |
| 2.3.1 Secular方程与选择定则 | 第28-29页 |
| 2.3.2 喇曼谱应力模型 | 第29-31页 |
| 本章小结 | 第31-34页 |
| 第三章 SOI SiGe HBT电学特性 | 第34-56页 |
| 3.1 器件结构 | 第34-35页 |
| 3.2 C-B结空间电荷区电容模型 | 第35-37页 |
| 3.2.1 纵向C-B结空间电荷区电容模型 | 第35-36页 |
| 3.2.2 横向C-B结空间电荷区电容模型 | 第36页 |
| 3.2.3 C-B结空间电荷区电容模型 | 第36-37页 |
| 3.3 SOI SiGe HBT厄利电压解析模型 | 第37-43页 |
| 3.3.1 厄利电压建模 | 第37-40页 |
| 3.3.2 厄利电压模型仿真与分析 | 第40-43页 |
| 3.4 SOI SiGe HBT频率特性 | 第43-46页 |
| 3.5 SOI SiGe HBT工态分析 | 第46-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 全耗尽应变硅SOI NMOS阈值/亚阈特性 | 第56-78页 |
| 4.1 器件结构 | 第56-57页 |
| 4.2 二维表面势模型 | 第57-59页 |
| 4.3 阈值电压模型 | 第59-64页 |
| 4.4 亚阈电流模型 | 第64-67页 |
| 4.5 FDS-SOI NMOSFET工态分析 | 第67-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 研究结论和研究成果 | 第78-82页 |
| 5.1 研究结论 | 第78-79页 |
| 5.2 研究成果 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |