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基于InGaAs/InP APD单光子探测器的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-12页
    1.1 研究背景介绍第8-9页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第9-11页
    1.3 论文结构第11-12页
2 近红外单光子探测技术第12-21页
    2.1 近红外单光子探测的原理及器件选型第12-15页
    2.2 InGaAs/InP APD雪崩光电二极管的工作方式第15-20页
    2.3 本章小结第20-21页
3 近红外单光子探测器外围电路的研究第21-51页
    3.1 主要子模块功能及实现方法第21-34页
    3.2 单光子探测器的实验参数和结果分析第34-42页
    3.3 系统改进方案第42-45页
    3.4 自淬灭单光子探测器第45-50页
    3.5 本章小结第50-51页
4 近红外单光子探测器芯片对比分析第51-58页
    4.1 APD芯片测试第51-56页
    4.2 APD芯片比较分析第56-57页
    4.3 本章小结第57-58页
5 总结与展望第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-66页
附录1 攻读学位期间发表论文目录第66页

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