| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 课题研究背景意义 | 第10-12页 |
| 1.2.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2.2 课题研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状及难点分析 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要研究内容及成果 | 第13-14页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第13页 |
| 1.4.2 研究目标 | 第13-14页 |
| 第二章 日盲紫外探测理论 | 第14-19页 |
| 2.1 日盲紫外探测技术介绍 | 第14-15页 |
| 2.2 日盲紫外探测系统评价指标 | 第15-18页 |
| 2.2.1 光电探测系统性能评价指标——比探测率 | 第15-16页 |
| 2.2.2 日盲紫外探测系统评价指标 | 第16-18页 |
| 2.3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 日全盲紫外单光子探测系统设计 | 第19-40页 |
| 3.1 APD(雪崩光电二极管)的工作原理 | 第19-21页 |
| 3.2 4H-SiC SPAD的特征性能 | 第21-28页 |
| 3.2.1 量子效率 | 第21页 |
| 3.2.2 IV特性 | 第21-22页 |
| 3.2.3 雪崩抑制 | 第22-26页 |
| 3.2.4 脉冲波形 | 第26-28页 |
| 3.2.5 4H-SiC比探测率D~* | 第28页 |
| 3.3 基于4H-SiC APD的日盲紫外探测系统设计要求 | 第28-30页 |
| 3.3.1 电路要求 | 第28-29页 |
| 3.3.2 光学要求 | 第29页 |
| 3.3.3 单光子探测系统指标 | 第29-30页 |
| 3.4 电路系统设计 | 第30-35页 |
| 3.4.1 偏置电压源设计 | 第30-32页 |
| 3.4.2 无源雪崩抑制与信号提取电路设计 | 第32-33页 |
| 3.4.3 有源雪崩抑制与信号提取电路设计 | 第33-35页 |
| 3.5 光学系统设计 | 第35-37页 |
| 3.5.1 滤光系统设计 | 第36页 |
| 3.5.2 聚光系统设计 | 第36-37页 |
| 3.6 外观及结构设计 | 第37-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 日盲紫外单光子探测器性能 | 第40-51页 |
| 4.1 测试装置 | 第40-43页 |
| 4.1.1 4H-SiC芯片特征标定装置 | 第40-41页 |
| 4.1.2 单光子探测系统性能测试装置 | 第41-43页 |
| 4.2 芯片特征测量 | 第43页 |
| 4.3 系统特性测试 | 第43-50页 |
| 4.3.1 输出波形 | 第43-46页 |
| 4.3.2 系统性能测试 | 第46-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 硕士期间成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |