| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状综述 | 第10-12页 |
| 1.3 主要工作和内容安排 | 第12-13页 |
| 第2章 硅通孔MOS电容模型基础理论 | 第13-28页 |
| 2.1 硅通孔互连技术 | 第13-15页 |
| 2.1.1 圆柱形硅通孔 | 第14页 |
| 2.1.2 圆环形硅通孔 | 第14页 |
| 2.1.3 同轴形硅通孔 | 第14-15页 |
| 2.1.4 锥形硅通孔 | 第15页 |
| 2.2 TSV寄生电容参数理论研究 | 第15-19页 |
| 2.2.1 寄生电容特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 TSV寄生电容模型 | 第17-19页 |
| 2.3 硅通孔互连通道传输特性基础理论 | 第19-26页 |
| 2.3.1 S参数矩阵 | 第19-22页 |
| 2.3.2 传输线上的反射 | 第22-24页 |
| 2.3.3 传输线的损耗 | 第24-25页 |
| 2.3.4 传输线间的串扰 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 考虑电荷精确分布的锥形硅通孔MOS电容建模 | 第28-38页 |
| 3.1 考虑电荷精确分布的MOS电容计算 | 第28-33页 |
| 3.1.1 耗尽层电荷分布 | 第28-31页 |
| 3.1.2 耗尽电容计算 | 第31-33页 |
| 3.2 考虑电荷精确分布的T-TSVMOS电容解析模型 | 第33-36页 |
| 3.3 T-TSVMOS电容解析模型验证 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 锥形硅通孔对互连通道传输特征研究 | 第38-52页 |
| 4.1 锥形硅通孔对RLGC模型 | 第38-42页 |
| 4.2 T-TSV对RLGC模型验证 | 第42-48页 |
| 4.2.1 T-TSV对传输线模型S参数计算 | 第42-44页 |
| 4.2.2 理论验证与S参数仿真 | 第44-48页 |
| 4.3 T-TSV对信号传输性能的应用 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第52-53页 |
| 5.2 进一步的研究工作 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |