| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光电探测器的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 单行载流子光电探测器(UTC-PD) | 第12-15页 |
| 1.3.1 工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3.2 光电探测器的特性 | 第13-15页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 垂直入射单行载流子光电探测器 | 第17-34页 |
| 2.1 仿真模型 | 第17-23页 |
| 2.1.1 基本方程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 物理模型 | 第18-20页 |
| 2.1.3 能带和异质结面 | 第20-23页 |
| 2.2 垂直入射UTC-PD的结构参数 | 第23页 |
| 2.3 垂直入射UTC-PD的工作特性 | 第23-33页 |
| 2.3.1 能带结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 直流特性 | 第25-26页 |
| 2.3.3 交流小信号特性 | 第26-27页 |
| 2.3.4 低光功率入射 | 第27-30页 |
| 2.3.5 高光功率入射 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 单行载流子垂直方向耦合光波导探测器的研制 | 第34-59页 |
| 3.1 光波导探测器的外延层结构参数 | 第34页 |
| 3.2 光波导探测器的芯片加工 | 第34-54页 |
| 3.2.1 光刻板设计与制作 | 第35-37页 |
| 3.2.2 芯片加工流程 | 第37-54页 |
| 3.3 光波导探测器特性测试 | 第54-55页 |
| 3.3.1 测试平台 | 第54-55页 |
| 3.3.2 测试结果 | 第55页 |
| 3.4 光波导探测器的制备中的问题及改进方案 | 第55-58页 |
| 3.4.1 光刻过程中的脊形上下波导的对准难度大 | 第55-57页 |
| 3.4.2 基片污染 | 第57页 |
| 3.4.3 工艺条件的限制 | 第57-58页 |
| 3.4.4 暗电流 | 第58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 单行载流子光波导探测器的优化改进及仿真分析 | 第59-68页 |
| 4.0 光波导探测器的结构优化改进 | 第59-60页 |
| 4.1 数值仿真 | 第60-61页 |
| 4.2 等效计算方法 | 第61页 |
| 4.3 器件工作特性 | 第61-67页 |
| 4.3.1 能带结构 | 第61-62页 |
| 4.3.2 载流子分布 | 第62-64页 |
| 4.3.3 电流密度 | 第64-65页 |
| 4.3.4 直流特性 | 第65-66页 |
| 4.3.5 交流小信号特性 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 工作总结 | 第68-69页 |
| 5.2 未来展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |