首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--真空电子技术论文--电子光学仪器论文

基于微芯片的透射电子显微镜原位电学测量技术研究

摘要第1-12页
Abstract第12-13页
第1章 绪论第13-27页
   ·研究背景第14-17页
     ·微电子发展现状第14页
     ·基于低维纳米材料的纳电子器件第14-16页
     ·纳米材料原位电学研究必要性第16-17页
   ·相关工作第17-22页
     ·结构相关电学性质测量第17-19页
     ·原位测量技术刻蚀与电学测量第19-20页
     ·原位电致断裂研究第20-21页
     ·新型弱相体材料及生物样品表征第21-22页
     ·TEM原位电学研究待改进的关键点第22页
   ·研究内容与方法第22-25页
     ·基于微芯片的TEM原位电学平台搭建第23页
     ·无污染的高精细刻蚀加工与原位电学测量第23-24页
     ·纳米材料电致断裂机理第24页
     ·TEM暗场像光栏制备第24-25页
   ·主要创新第25页
   ·论文组织第25-27页
第2章 基于微芯片TEM原位电学平台设计与实现第27-49页
   ·基于微芯片的TEM原位电学平台第27-33页
     ·TEM简介第27-29页
     ·TEM原位电学测量技术第29-30页
     ·TEM原位电学样品杆第30-31页
     ·TEM原位电学薄膜微芯片第31-33页
   ·TEM原位电学平台设计与实现第33-40页
     ·原位电学平台样品杆第34页
     ·原位电学微芯片设计与实现第34-40页
   ·TEM原位电学研究材料制备第40-42页
   ·原位电学芯片与纳米材料集成第42-47页
     ·纳米材料转移第42-43页
     ·纳米材料与芯片集成第43-44页
     ·纳米材料集成时影响因素第44-47页
   ·本章小结第47-49页
第3章 不同温度下TEM刻蚀与原位电学测量第49-69页
   ·纳米材料精细加工与原位电学测量第49-51页
     ·纳米材料刻蚀技术第49-50页
     ·TEM会聚电子束刻蚀的污染第50-51页
     ·TEM原位电学测量第51页
   ·TEM会聚电子束不同温度刻蚀第51-60页
     ·石墨烯刻蚀第51-55页
     ·半导体纳米线刻蚀第55-58页
     ·金属纳米线刻蚀第58-59页
     ·绝缘体薄膜刻蚀第59-60页
   ·TEM刻蚀与原位电学测量第60-65页
     ·In As纳米线多次刻蚀与电学测量第60-64页
     ·纳米线刻蚀的成分分析第64-65页
   ·TEM刻蚀纳米点与原位电学测量第65-66页
   ·本章小结第66-69页
第4章 TEM原位纳米线电致断裂研究第69-85页
   ·纳米线原位断裂研究第69页
   ·原位电致断裂平台搭建第69-74页
     ·锥形In As纳米线生长第69-70页
     ·多电极薄膜芯片制备第70-72页
     ·原位电致断裂平台搭建第72-74页
   ·纳米线断裂的原位电学研究第74-81页
     ·锥形纳米线原位断裂研究第74-79页
     ·薄膜中沟槽影响第79-80页
     ·电压影响第80-81页
   ·纳米线电致断裂讨论第81-83页
   ·本章小结第83-85页
第5章 TEM暗场像光栏制备与测试第85-97页
   ·新型暗场像光栏第85-87页
     ·TEM成像模式与特点第86-87页
     ·暗场像光栏第87页
   ·TEM暗场像光栏设计与制备第87-90页
     ·暗场像光栏效果模拟第87-89页
     ·TEM暗场像光栏设计第89页
     ·TEM暗场像光栏制备第89-90页
   ·TEM暗场像光栏的测试第90-93页
     ·石墨烯第90-92页
     ·生物样品第92-93页
   ·TEM暗场光栏DF-000 讨论第93-96页
   ·本章小结第96-97页
第6章 结论与展望第97-99页
   ·论文工作总结第97页
   ·课题研究展望第97-99页
致谢第99-103页
参考文献第103-117页
作者在学期间取得的学术成果第117-121页
附录A 器件分析制备、表征和测试仪器第121-132页

论文共132页,点击 下载论文
上一篇:平板PFN-层叠Blumlein型长脉冲发生器的关键技术研究
下一篇:基于最小模型误差准则的非线性滤波及控制理论与应用研究