基于微芯片的透射电子显微镜原位电学测量技术研究
摘要 | 第1-12页 |
Abstract | 第12-13页 |
第1章 绪论 | 第13-27页 |
·研究背景 | 第14-17页 |
·微电子发展现状 | 第14页 |
·基于低维纳米材料的纳电子器件 | 第14-16页 |
·纳米材料原位电学研究必要性 | 第16-17页 |
·相关工作 | 第17-22页 |
·结构相关电学性质测量 | 第17-19页 |
·原位测量技术刻蚀与电学测量 | 第19-20页 |
·原位电致断裂研究 | 第20-21页 |
·新型弱相体材料及生物样品表征 | 第21-22页 |
·TEM原位电学研究待改进的关键点 | 第22页 |
·研究内容与方法 | 第22-25页 |
·基于微芯片的TEM原位电学平台搭建 | 第23页 |
·无污染的高精细刻蚀加工与原位电学测量 | 第23-24页 |
·纳米材料电致断裂机理 | 第24页 |
·TEM暗场像光栏制备 | 第24-25页 |
·主要创新 | 第25页 |
·论文组织 | 第25-27页 |
第2章 基于微芯片TEM原位电学平台设计与实现 | 第27-49页 |
·基于微芯片的TEM原位电学平台 | 第27-33页 |
·TEM简介 | 第27-29页 |
·TEM原位电学测量技术 | 第29-30页 |
·TEM原位电学样品杆 | 第30-31页 |
·TEM原位电学薄膜微芯片 | 第31-33页 |
·TEM原位电学平台设计与实现 | 第33-40页 |
·原位电学平台样品杆 | 第34页 |
·原位电学微芯片设计与实现 | 第34-40页 |
·TEM原位电学研究材料制备 | 第40-42页 |
·原位电学芯片与纳米材料集成 | 第42-47页 |
·纳米材料转移 | 第42-43页 |
·纳米材料与芯片集成 | 第43-44页 |
·纳米材料集成时影响因素 | 第44-47页 |
·本章小结 | 第47-49页 |
第3章 不同温度下TEM刻蚀与原位电学测量 | 第49-69页 |
·纳米材料精细加工与原位电学测量 | 第49-51页 |
·纳米材料刻蚀技术 | 第49-50页 |
·TEM会聚电子束刻蚀的污染 | 第50-51页 |
·TEM原位电学测量 | 第51页 |
·TEM会聚电子束不同温度刻蚀 | 第51-60页 |
·石墨烯刻蚀 | 第51-55页 |
·半导体纳米线刻蚀 | 第55-58页 |
·金属纳米线刻蚀 | 第58-59页 |
·绝缘体薄膜刻蚀 | 第59-60页 |
·TEM刻蚀与原位电学测量 | 第60-65页 |
·In As纳米线多次刻蚀与电学测量 | 第60-64页 |
·纳米线刻蚀的成分分析 | 第64-65页 |
·TEM刻蚀纳米点与原位电学测量 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-69页 |
第4章 TEM原位纳米线电致断裂研究 | 第69-85页 |
·纳米线原位断裂研究 | 第69页 |
·原位电致断裂平台搭建 | 第69-74页 |
·锥形In As纳米线生长 | 第69-70页 |
·多电极薄膜芯片制备 | 第70-72页 |
·原位电致断裂平台搭建 | 第72-74页 |
·纳米线断裂的原位电学研究 | 第74-81页 |
·锥形纳米线原位断裂研究 | 第74-79页 |
·薄膜中沟槽影响 | 第79-80页 |
·电压影响 | 第80-81页 |
·纳米线电致断裂讨论 | 第81-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
第5章 TEM暗场像光栏制备与测试 | 第85-97页 |
·新型暗场像光栏 | 第85-87页 |
·TEM成像模式与特点 | 第86-87页 |
·暗场像光栏 | 第87页 |
·TEM暗场像光栏设计与制备 | 第87-90页 |
·暗场像光栏效果模拟 | 第87-89页 |
·TEM暗场像光栏设计 | 第89页 |
·TEM暗场像光栏制备 | 第89-90页 |
·TEM暗场像光栏的测试 | 第90-93页 |
·石墨烯 | 第90-92页 |
·生物样品 | 第92-93页 |
·TEM暗场光栏DF-000 讨论 | 第93-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
第6章 结论与展望 | 第97-99页 |
·论文工作总结 | 第97页 |
·课题研究展望 | 第97-99页 |
致谢 | 第99-103页 |
参考文献 | 第103-117页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第117-121页 |
附录A 器件分析制备、表征和测试仪器 | 第121-132页 |