| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·体材料的性质 | 第13-14页 |
| ·光电化学性能 | 第13-14页 |
| ·摩擦性能 | 第14页 |
| ·低维材料的性质 | 第14-15页 |
| ·低维TMDCs的制备方法 | 第15-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 第一性原理以及计算软件的介绍 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-32页 |
| ·多体问题 | 第27-29页 |
| ·Hosenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第30页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第30-31页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第31-32页 |
| ·常用的计算软件 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 应力作用下MoS_2双层以及MX_2(M=Mo、W；X=S、Se)纳米带的电子性质 | 第34-51页 |
| ·前言 | 第34-36页 |
| ·纳米带的计算与结果讨论 | 第36-43页 |
| ·WX_2(X=S,Se)纳米带的计算方法与模型 | 第36-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·结论 | 第43页 |
| ·双层MoS_2的计算与结果讨论 | 第43-48页 |
| ·双层MoS_2的计算模型 | 第43-44页 |
| ·计算的结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第四章 电荷注入对过渡金属硫化物磁各向异性能的调控 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·计算的方法与模型 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·单层MoS_2吸附双层Fe造成的影响 | 第54-55页 |
| ·电荷注入对Fe/MoS_2/Fe的MAE的影响 | 第55-58页 |
| ·注入电荷对MoX_2(X=S,Se,Te)的MAE的影响 | 第58-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
