| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究的目的与意义 | 第11-13页 |
| ·国内外研究进展 | 第13-16页 |
| ·国外进展 | 第13-15页 |
| ·国内概况 | 第15-16页 |
| ·TAN 薄膜电阻器及铁氧体基片器件 | 第16-17页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第17-19页 |
| ·选题依据 | 第17页 |
| ·研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜制备工艺 | 第19-25页 |
| ·TAN 薄膜的制备与成膜机理 | 第19-21页 |
| ·TAN 薄膜制备流程和工艺 | 第21-25页 |
| ·制备薄膜前期准备 | 第21页 |
| ·薄膜制备流程及注意事项 | 第21-23页 |
| ·TaN 薄膜的测试及分析 | 第23-25页 |
| 第三章 薄膜性能研究 | 第25-36页 |
| ·溅射气压对薄膜的影响 | 第25-27页 |
| ·溅射气压对 Ta 溅射速率的影响 | 第25-26页 |
| ·溅射气压对薄膜方阻的影响 | 第26-27页 |
| ·溅射 N_2流量对薄膜的影响 | 第27-30页 |
| ·溅射 N_2流量对薄膜相结构的影响 | 第28-29页 |
| ·溅射 N_2流量与薄膜方阻的关系 | 第29页 |
| ·溅射氮 N_2流量与薄膜温度系数 TCR 之间的关系 | 第29-30页 |
| ·溅射时间对薄膜的影响 | 第30-33页 |
| ·溅射时间与薄膜厚度的关系 | 第31页 |
| ·溅射时间对薄膜方阻的影响 | 第31-32页 |
| ·溅射时间对温度系数 TCR 的影响 | 第32-33页 |
| ·退火对薄膜性能的影响 | 第33-35页 |
| ·退火对薄膜表面性能的影响 | 第33-34页 |
| ·退火对薄膜方阻的影响 | 第34-35页 |
| ·退火时间对薄膜方阻的影响 | 第35页 |
| ·薄膜实验部分总结 | 第35-36页 |
| 第四章 TAN 微波功率电阻器的设计与制作 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-42页 |
| ·薄膜电阻器的制备流程和制作工艺 | 第36-37页 |
| ·薄膜电阻器设计原理 | 第37-40页 |
| ·薄膜电阻器性能指标 | 第40-42页 |
| ·电阻器制备具体工艺流程 | 第42-48页 |
| ·电阻器的仿真设计 | 第42-44页 |
| ·基片上电极的制作 | 第44-45页 |
| ·光刻法制作电阻薄膜图形 | 第45-46页 |
| ·反应溅射法制备 TaN 薄膜 | 第46-47页 |
| ·电阻器的后处理过程 | 第47页 |
| ·电阻器的切片 | 第47-48页 |
| 第五章 薄膜功率电阻器的测试与改进 | 第48-53页 |
| ·薄膜电阻器频率测试 | 第48-49页 |
| ·薄膜电阻器功率的测试与研究 | 第49-53页 |
| ·薄膜电阻器的功率测试 | 第49-50页 |
| ·薄膜电阻器功率改进的探索与研究 | 第50-51页 |
| ·薄膜电阻器测试小结 | 第51-53页 |
| 第六章 微波集成隔离器的仿真与制作 | 第53-62页 |
| ·微波集成隔离器件的仿真设计 | 第53-58页 |
| ·微波集成隔离器的制作 | 第58-59页 |
| ·微波集成隔离器的频率测试 | 第59-61页 |
| ·微波集成隔离器设计与制作小结 | 第61-62页 |
| 第七章 结论 | 第62-64页 |
| 第八章 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |