| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·本文的主要贡献与结构安排 | 第10-12页 |
| 2 谱元法及介质传热学的基本理论 | 第12-24页 |
| ·谱元法相关原理 | 第12-15页 |
| ·基函数的选取 | 第12-14页 |
| ·网格离散及参数单元变换 | 第14-15页 |
| ·电磁场的矢量波动方程的谱元法求解 | 第15-18页 |
| ·电磁场矢量波动方程 | 第16页 |
| ·电磁场波动方程的时域谱元法推导 | 第16-18页 |
| ·传热学的基本控制方程 | 第18-20页 |
| ·传热学的模型 | 第18页 |
| ·热模型的稳定性条件、初始条件以及边界条件 | 第18-20页 |
| ·半导体载流子漂移扩散理论的控制方程 | 第20-23页 |
| ·载流子输运方程 | 第20-21页 |
| ·电流连续性方程 | 第21-22页 |
| ·泊松方程 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 高功率电磁脉冲对射频PIN二极管的热二次摧毁的时域谱元分析 | 第24-33页 |
| ·PIN二极管的基本热模型 | 第24-25页 |
| ·热传导方程的时域谱元法推导 | 第25-27页 |
| ·射频PIN二极管的热二次损伤分析 | 第27-32页 |
| ·模型描述 | 第27页 |
| ·PIN二极管热二次损伤的分析 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 4 射频CMOS管三维稳态分析 | 第33-40页 |
| ·半导体漂移扩散理论的边界条件 | 第33-34页 |
| ·CMOS三维稳态模型 | 第34-39页 |
| ·载流子漂移扩散模型的控制方程 | 第34-36页 |
| ·器件的模拟与讨论 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 CMOS反相器的数值分析 | 第40-47页 |
| ·基于Alpha功率法则的N沟道场效应管模型 | 第40-41页 |
| ·N沟道增强型场效应管输出特性曲线的模拟 | 第41-43页 |
| ·CMOS反相器的数值分析 | 第43-46页 |
| ·反向器Alpha-Power Law模型的分析 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 6 总结与展望 | 第47-48页 |
| ·全文总结 | 第47页 |
| ·后续工作展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |