| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-21页 |
| ·半导体量子点理论 | 第7-14页 |
| ·半导体量子点物理理论 | 第7-10页 |
| ·半导体量子点生长理论 | 第10-14页 |
| ·锑化镓半导体量子点的研究背景和意义 | 第14-17页 |
| ·锑化镓量子点及其研究现状 | 第17-20页 |
| ·锑化镓材料的基本性质 | 第17-18页 |
| ·锑化镓量子点的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 MOCVD 技术与实验表征技术 | 第21-31页 |
| ·MOCVD 技术 | 第21-28页 |
| ·MOCVD 技术的发展和应用 | 第21-23页 |
| ·MOCVD 技术原理和设备介绍 | 第23-26页 |
| ·GaSb/GaAs 量子点的 MOCVD 生长 | 第26-28页 |
| ·量子点形貌表征手段 | 第28-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM)原理 | 第28-30页 |
| ·原子力扫描图像分辨率 | 第30-31页 |
| 第3章 MOCVD 生长参数对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第31-46页 |
| ·生长温度对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第32-38页 |
| ·反应室压强对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第38-41页 |
| ·气相Ⅴ/Ⅲ比对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 生长过程对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第46-58页 |
| ·快速生长时间对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第46-50页 |
| ·中断时间对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·循环次数对 GaSb/GaAs 量子点形貌的影响 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 结论 | 第58-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 中文摘要 | 第67-69页 |
| Abstract | 第69-70页 |
