| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景及意义 | 第7-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·论文方法和主要研究内容 | 第10-13页 |
| 第二章 HPM 和 EMP 对器件作用机理分析 | 第13-27页 |
| ·HPM 和 EMP 对电子器件的作用途径 | 第13-14页 |
| ·HPM 和 EMP 破坏电子设备性能的物理基础 | 第14-15页 |
| ·HPM 和 EMP 损伤的物理机理 | 第15-17页 |
| ·典型器件主要失效机理分析 | 第17-19页 |
| ·金属氧化物半导体器件 | 第17-18页 |
| ·结型半导体 | 第18-19页 |
| ·GaAs FET 器件 | 第19页 |
| ·MOS 晶体管热分析 | 第19-24页 |
| ·电热模型所用的半导体基本方程及热流方程 | 第19-21页 |
| ·边界条件 | 第21-22页 |
| ·MOS 器件等效热路 | 第22-23页 |
| ·晶格温度与时间之间的关系 | 第23-24页 |
| ·电子电气系统对高功率微波及电磁脉冲防护的特殊考虑 | 第24-25页 |
| ·本章总结 | 第25-27页 |
| 第三章 MOSFET 的 EMP 瞬态响应 | 第27-45页 |
| ·工艺及器件仿真工具 ISE-TCAD | 第27-30页 |
| ·器件生成工具 MDRAW | 第28页 |
| ·器件仿真工具 DESSIS | 第28-29页 |
| ·设计流程 | 第29-30页 |
| ·模型参数的选取 | 第30-35页 |
| ·带隙和电子亲和能模型 | 第30-32页 |
| ·Shockley-Reed-Hall(SRH)复合模型 | 第32-34页 |
| ·Auger 复合模型 | 第34-35页 |
| ·器件模型 | 第35-38页 |
| ·器件结构与杂质分布 | 第35-36页 |
| ·器件特性验证 | 第36-38页 |
| ·EMP 作用下 MOSFET 的二维瞬态电热仿真 | 第38-44页 |
| ·电场强度分布情况 | 第39-40页 |
| ·电流密度分布情况 | 第40-42页 |
| ·温度分布随时间的变化情况 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 MOSFET 的 HPM 瞬态响应 | 第45-57页 |
| ·重复脉冲作用下器件失效模型 | 第45-47页 |
| ·温度弛豫时间的简单定义 | 第45-46页 |
| ·多脉冲作用下的温度公式 | 第46-47页 |
| ·热缓慢击穿现象 | 第47页 |
| ·HPM 作用下 MOSFET 的二维瞬态电热仿真 | 第47-54页 |
| ·正半周期器件内部变化情况 | 第48-51页 |
| ·负半周期器件内部变化情况 | 第51-53页 |
| ·烧毁时间与注入电压之间的关系 | 第53页 |
| ·烧毁时间和能量与脉冲频率的关系 | 第53-54页 |
| ·MOSFET 抗 HPM 加固 | 第54-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第五章 MOSFET 的损伤阈值分析 | 第57-65页 |
| ·脉宽与脉冲功率和能量的函数关系 | 第57-59页 |
| ·仿真及结果分析 | 第59-64页 |
| ·损伤功率阈值与 HPM 和 EMP 脉冲时间的关系 | 第59-62页 |
| ·损伤能量阈值与 HPM 脉冲时间的关系 | 第62-64页 |
| ·本章总结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 硕士期间成果 | 第75-76页 |
