| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·应变硅MOS 技术国内外研究现状 | 第7-9页 |
| ·应变硅MOS 界面特性研究意义 | 第9-10页 |
| ·本论文的研究内容及章节安排 | 第10-11页 |
| 第二章 应变硅MOS 电容- 电压特性分析 | 第11-29页 |
| ·应变Si 物理特性及应变硅MOS 结构 | 第11-16页 |
| ·应变硅物理特性 | 第11-13页 |
| ·应变Si/驰豫Si_(-x)Ge_x异质结能带 | 第13-15页 |
| ·应变硅MOS 结构 | 第15-16页 |
| ·应变硅MOS C-V 特性分析 | 第16-24页 |
| ·MOS 结构能带与直流偏压的关系 | 第16-18页 |
| ·应变硅MOS 栅压与反型层少数载流子浓度模型 | 第18-21页 |
| ·应变硅MOS C-V 特性研究 | 第21-24页 |
| ·应变硅MOS C-V 特性仿真与分析 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第三章 应变硅MOS 界面特性与表征 | 第29-43页 |
| ·应变硅MOS 高频C-V 测试 | 第29-32页 |
| ·应变硅MOS 高频C-V 测试原理 | 第29-30页 |
| ·应变硅MOS 高频C-V 测试装置及步骤 | 第30-31页 |
| ·应变硅MOS 高频C-V 测试结果及分析 | 第31-32页 |
| ·应变硅MOS 界面/近界面电荷研究 | 第32-39页 |
| ·界面陷阱电荷Q_(it) | 第32-34页 |
| ·氧化层可动电荷Q_m | 第34-36页 |
| ·氧化层固定电荷Q_f | 第36-38页 |
| ·氧化层陷阱电荷Q_(ot) | 第38-39页 |
| ·应变硅MOS 界面态密度分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 应变Si/SiO_2 界面对n- MOSFET 反型沟道电子迁移率的影响 | 第43-51页 |
| ·应变硅MOS 反型沟道低场电子迁移率模型 | 第43-47页 |
| ·应变硅电子体迁移率 | 第43-44页 |
| ·表面声子散射 | 第44-45页 |
| ·界面电荷散射 | 第45-46页 |
| ·表面粗糙散射 | 第46-47页 |
| ·总的迁移率模型 | 第47页 |
| ·应变硅MOS 反型沟道高场电子迁移率模型 | 第47-48页 |
| ·迁移率仿真分析及结果 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |