| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-17页 |
| ·功率MOS器件的发展 | 第14-15页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 功率VDMOSFET的结构和工作原理 | 第17-31页 |
| ·功率VDMOSFET的基本结构 | 第17-18页 |
| ·功率VDMOSFET的工作原理 | 第18-20页 |
| ·截止区 | 第19页 |
| ·线性区 | 第19-20页 |
| ·饱和区 | 第20页 |
| ·准饱和区 | 第20页 |
| ·击穿区 | 第20页 |
| ·VDMOSFET的主要内部参数 | 第20-31页 |
| ·击穿电压 | 第21页 |
| ·栅氧层厚度 | 第21-22页 |
| ·沟道长度 | 第22页 |
| ·阀值电压 | 第22-23页 |
| ·导通电阻 | 第23-30页 |
| ·漏源电流 | 第30-31页 |
| 第三章 VDMOSFET内部各种参数的选择 | 第31-36页 |
| ·VDMOSFET的纵向参数的设计 | 第31-33页 |
| ·衬底和外延层的选择 | 第31-32页 |
| ·外延层厚度的选择 | 第32-33页 |
| ·VDMOSFET的横向参数的设计 | 第33-34页 |
| ·扩散窗口L_W的选择 | 第33页 |
| ·多晶硅尺寸L_P的选择 | 第33页 |
| ·单晶胞的数量和有源面积 | 第33-34页 |
| ·VDMOSFET的参数的总结 | 第34页 |
| ·VDMOSFET模拟方案 | 第34-36页 |
| 第四章 VDMOSFET器件工艺级设计实现 | 第36-43页 |
| ·工艺仿真工具 | 第36-38页 |
| ·Sentaurus Process集成工艺仿真系统 | 第36-37页 |
| ·Sentaurus-structure Editor器件结构编辑工具 | 第37-38页 |
| ·VDMOSFET器件工艺流程 | 第38-39页 |
| ·VDMOSFET器件工艺仿真卡命令文件的编写 | 第39-42页 |
| ·激活电极并优化网格 | 第42-43页 |
| 第五章 VDMOSFET器件物理特性仿真实现 | 第43-50页 |
| ·Sentaurus-Device物理特性仿真工具 | 第43页 |
| ·物理特性分析的典型流程 | 第43-45页 |
| ·实现Sentaurus Device器件物理特性仿真的经典理论 | 第45页 |
| ·VDMOSFET物理特性仿真卡命令文件 | 第45-50页 |
| 第六章 VDMOSFET的特性分析 | 第50-55页 |
| ·工艺仿真输出结果 | 第50-52页 |
| ·物理特性仿真结果 | 第52-54页 |
| ·器件关键步骤的工艺设置 | 第54-55页 |
| 结束语 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录 | 第61页 |
