| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第9-15页 |
| ·成核理论 | 第9-11页 |
| ·岛在表面的迁移以及熟化 | 第11-12页 |
| ·合并与渗析 | 第12-13页 |
| ·薄膜生长过程中的微观动力学 | 第13-15页 |
| ·薄膜的生长方式 | 第15-17页 |
| ·薄膜生长过程的计算机模拟 | 第17-18页 |
| ·常用模拟方法简介 | 第17-18页 |
| ·薄膜生长模型的数值微分方法 | 第18页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第18-20页 |
| ·本文研究的目的与意义 | 第18-19页 |
| ·研究工作的主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 薄膜中的分形现象及薄膜表面 | 第20-30页 |
| ·薄膜生长中的“分形”现象 | 第20页 |
| ·自仿射分形表面 | 第20-25页 |
| ·线性生长模型 | 第25页 |
| ·Edwards-Wilkinson 模型 | 第25-26页 |
| ·Kardar-Parisi-Zhang 模型 | 第26-28页 |
| ·Kuramoto-Sivashinsky 模型 | 第28-30页 |
| 第3章 基于KS 模型的薄膜生长过程的计算机模拟 | 第30-48页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·KS 生长模型的分形描述及统计特性分析 | 第30-31页 |
| ·KS 方程的数值求解 | 第31-34页 |
| ·KS 模型决定的薄膜形貌随时间的演化分析 | 第34-46页 |
| ·Mullins扩散模型中扩散系数对薄膜形貌演化的影响 | 第38-41页 |
| ·Mullins 扩散模型中沉积速率对薄膜形貌演化的影响 | 第41-44页 |
| ·KS 模型中表面张力系数对薄膜形貌演化的影响 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第4章 磁控溅射 V_2O_5 薄膜表面形貌 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·V_2O_5 薄膜样品的制备 | 第48-50页 |
| ·V 2 O 5 薄膜生长界面的 A FM 测量及特征描述 | 第50-54页 |
| ·V_2O_5 薄膜生长界面的分形描述及统计参数分析 | 第54-56页 |
| ·薄膜生长机理及生长模型的探讨 | 第56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第5章 分子束外延 GaAs 薄膜的形貌演化研究 | 第58-71页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·KPZ 生长模型的分形描述及统计特性分析 | 第59-60页 |
| ·KPZ 方程的数值求解 | 第60-61页 |
| ·KPZ 模型决定的表面形貌演化过程分析 | 第61-65页 |
| ·同质外延GaAs薄膜的制备与表面形貌研究 | 第65-70页 |
| ·GaAs 同质外延薄膜的制备 | 第65-67页 |
| ·GaAs 同质外延薄膜的形貌测量 | 第67-68页 |
| ·GaAs 薄膜表面的定量描述 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
