| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 物理量名称及符号表 | 第14-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| ·课题背景 | 第15-17页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术的发展概况 | 第17-18页 |
| ·PIII过程物理模型研究和数值模拟现状 | 第18-23页 |
| ·正离子阵鞘层的形成 | 第20-21页 |
| ·动态鞘层的扩展 | 第21-22页 |
| ·鞘层的动态演化过程及注入过程的数值模拟 | 第22-23页 |
| ·球体无碰撞一维鞘层的研究现状 | 第23-26页 |
| ·圆筒内表面改性处理的研究现状 | 第26-27页 |
| ·注入剂量均匀性研究现状 | 第27-28页 |
| ·课题的研究内容和意义 | 第28-31页 |
| 第2章 轴承部件PIII批量改性过程模型的建立 | 第31-54页 |
| ·引言 | 第31-34页 |
| ·轴承滚珠PIII批量处理过程三维PIC模型的建立 | 第34-47页 |
| ·模拟区域 | 第35-36页 |
| ·理论模型 | 第36-39页 |
| ·系统方程的离散化 | 第39-41页 |
| ·时间步长的选择 | 第41-42页 |
| ·初始条件和边界条件 | 第42页 |
| ·模拟程序设计 | 第42-47页 |
| ·轴承内、外套圈PIII批量改性过程模型建立 | 第47-53页 |
| ·轴承套圈PIII批量处理摆放方式 | 第47-48页 |
| ·模拟区域 | 第48-50页 |
| ·理论模型 | 第50-51页 |
| ·系统方程的离散化 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 轴承滚珠批量处理过程的数值模拟 | 第54-80页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·轴承滚珠周围鞘层扩展规律的数值模拟 | 第54-67页 |
| ·等离子体密度对鞘层扩展的影响 | 第57-62页 |
| ·电压幅值对鞘层扩展的影响 | 第62-66页 |
| ·脉冲宽度对鞘层扩展的影响 | 第66-67页 |
| ·鞘层扩展规律的实验研究 | 第67-70页 |
| ·实验装置图和参数的选择 | 第67-68页 |
| ·鞘层扩展测量结果与分析 | 第68-70页 |
| ·轴承滚珠批量处理表面注入剂量均匀性的研究 | 第70-79页 |
| ·电压幅值对滚珠表面注入剂量的影响 | 第72-74页 |
| ·等离子体密度对滚珠表面注入剂量的影响 | 第74-77页 |
| ·脉冲宽度对滚珠表面注入剂量的影响 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第4章 轴承外套圈PIII批量处理过程的数值模拟和注入剂量均匀性的实验研究 | 第80-102页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·轴承外圈批量改性处理过程的数值模拟 | 第81-91页 |
| ·脉冲高压辉光放电 | 第81-83页 |
| ·轴承外圈批量改性处理过程中鞘层扩展的数值模拟 | 第83-87页 |
| ·轴承外圈PIII批量处理后滚道表面注入剂量均匀性的计算 | 第87-91页 |
| ·外套圈内表面改性均匀性的实验研究 | 第91-100页 |
| ·圆筒内表面氮离子注入的研究 | 第91-97页 |
| ·圆筒内表面沉积DLC膜层均匀性的研究 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第5章 轴承内圈PIII批量处理过程的数值模拟和注入剂量分布均匀性的实验研究 | 第102-116页 |
| ·引言 | 第102页 |
| ·轴承内圈PIII批量处理过程的数值模拟 | 第102-112页 |
| ·轴承内圈外滚道批量改性处理鞘层扩展的数值模拟 | 第103-109页 |
| ·轴承内圈外滚道表面注入剂量的均匀性的计算 | 第109-112页 |
| ·轴承内圈PIII批量处理过程的实验研究 | 第112-115页 |
| ·轴承内圈外滚道批量注入处理的实验研究 | 第112-113页 |
| ·轴承内圈外滚道批量注氮处理剂量均匀性的实验测试 | 第113-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 结论 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 个人简历 | 第130页 |
