| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 纳米材料及其研究进展 | 第7-29页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·纳米材料的组成、结构、性质和应用前景 | 第8-14页 |
| ·纳米材料的组成和分类 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的结构 | 第9页 |
| ·纳米材料的特殊效应 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的性质 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的应用前景 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的制备方法回顾及其进展 | 第14-21页 |
| ·纳米材料的制备方法回顾 | 第14-17页 |
| ·低维II-VI和III-V族半导体纳米材料的制备进展 | 第17-20页 |
| ·水热和溶剂热中晶体生长和微结构的形成机制 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 磷化铜纳米晶和III-V族磷化物纳米线的 IUR 路线合成和机理研究 | 第29-51页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·磷化铜纳米晶 IUR 路线的合成和反应机理研究 | 第31-41页 |
| ·氮族化合物 IUR 合成思想的提出 | 第31-32页 |
| ·磷化铜纳米晶的实验制备和表征手段 | 第32-33页 |
| ·磷化铜纳米晶的表征 | 第33-34页 |
| ·有机产物表征和 IUR 合成路线反应机理研究 | 第34-41页 |
| ·InP 和 GaP 纳米线的 IUR 路线制备 | 第41-48页 |
| ·InP、GaP 样品的制备和表征手段 | 第42页 |
| ·InP 和 GaP 纳米线的表征 | 第42-45页 |
| ·InP 和GaP 纳米线的生长机理探讨 | 第45-47页 |
| ·InP 薄膜的 IUR 路线沉积 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 CdSe 和 CdTe 纳米线的合成、结构表征、生长机理及其性质研究 | 第51-88页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·CdSe 纳米线的PVA 辅助合成、微结构表征和生长机理和性质研究 | 第52-72页 |
| ·样品制备和表征手段 | 第52-53页 |
| ·X光电子能谱(XPS)、能量散射损失谱(EDS)表征和成分分析 | 第53-55页 |
| ·X光粉末衍射(XRD)表征和物相分析 | 第55-56页 |
| ·电子显微镜(SEM和TEM)表征和样品形貌 | 第56-60页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)表征和微结构分析 | 第60-64页 |
| ·拉曼散射光谱(Raman)的表征 | 第64-65页 |
| ·光致发光(PL)光谱和吸收谱表征与样品的光学性能 | 第65-67页 |
| ·CdSe纳米线不同形貌和微结构的形成机理研究 | 第67-72页 |
| ·CdTe纳米线的PVA辅助合成 | 第72-75页 |
| ·样品制备和表征手段 | 第72-73页 |
| ·样品表征 | 第73-74页 |
| ·反应机理和温度对物相的影响 | 第74页 |
| ·CdTe纳米线形成机理研究 | 第74-75页 |
| ·CdSe 和HgSe 纳米晶的室温合成和性质研究 | 第75-83页 |
| ·样品制备和表征手段 | 第75-76页 |
| ·MSe 样品的表征 | 第76-80页 |
| ·MSe 的沉淀反应机理、样品贮存和相转变 | 第80-82页 |
| ·样品的光学性质 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 硫属化合物的溶剂热制备和表征 | 第88-116页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·有机金属前驱物二硫化锡片状纳米晶的溶剂热制备 | 第89-95页 |
| ·二硫化锡的合成与表征手段 | 第90-91页 |
| ·SnS_2 产物的表征 | 第91-94页 |
| ·反应机理探讨 | 第94-95页 |
| ·有机锡前驱物溶剂热条件下的 SnS_2 薄膜的制备 | 第95-100页 |
| ·SnS_2 薄膜的化学沉积和表征手段 | 第95-96页 |
| ·SnS_2 薄膜的表征 | 第96-98页 |
| ·SnS_2 薄膜形成机理探讨 | 第98-99页 |
| ·SnS_2 薄膜的光学性质 | 第99-100页 |
| ·四棱柱管状 Sb_2S_3 晶体的制备与表征 | 第100-105页 |
| ·反应路线设计 | 第100页 |
| ·实验制备和表征手段 | 第100页 |
| ·Sb_2S_3 晶体样品的表征 | 第100-103页 |
| ·管状晶体生长的影响因素和机理探讨 | 第103-105页 |
| ·管状 Sb_8O_10(OH)_2I_2 晶体的制备与表征 | 第105-108页 |
| ·实验制备和表征手段 | 第105页 |
| ·Sb_8O_10(OH)_2I_2 晶体样品的表征 | 第105-107页 |
| ·管状晶体生长的影响因素和机理探讨 | 第107-108页 |
| ·SbSI 棒状晶体的水热合成 | 第108-112页 |
| ·SbSI 晶体的合成 | 第108页 |
| ·SbSI 晶体的表征 | 第108-111页 |
| ·SbSI 晶体生长机理探讨和Ag_2HgS_2单晶的合成 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 附录:博士期间发表的论文 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
